雙倍數(shù)據速率（DDR）同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）最近越來越受歡迎。DDR 內存需要跟蹤主內存電壓 VDDQ 的主動端接 VTT。本應用筆記提供開關穩(wěn)壓器方案，利用MAX1957脈寬調制（PWM）降壓控制器為VTT端接提供1/2跟蹤輸出。

雙倍數(shù)據速率 （DDR） 同步動態(tài)隨機存取存儲器 （SDRAM） 越來越受歡迎，因為在相同時鐘速度下，與 SDRAM 相比，它可以提供雙倍的數(shù)據速率并降低功耗。這些優(yōu)勢帶來了更復雜的端接電壓要求。

DDR 端接電源 VTT 現(xiàn)在必須能夠提供和吸收電流。VTT 必須跟蹤 1/2VDDQ，即輸出電源電壓（目前 VDDQ 為 2.5V，精度為 ±3%）。輸入接收器現(xiàn)在是一個差分級，需要一個基準偏置VTTR，它必須跟蹤終端電壓VTT到±40mV以內（參考JDEC標準JDSD79和JDSD8-9）。

圖1是一個典型的輸出緩沖器和輸入接收器級，在DDR_SDRAM單端接系統(tǒng)中具有2.5V （SSTL-2）的串聯(lián)短截線端接邏輯。對于雙端接，用于長總線，總線兩端各有兩個RT端接。

圖1.單端接 SSTL-2 DDR_SDRAM系統(tǒng)。

圖2中的MAX1957電路提供VTT和VTTR用于DDR_SDRAM。MAX1957具有基準輸入（REFIN），連接到內部誤差放大器的同相輸入，將輸出VTT調節(jié)至與REFIN相同的電壓。為了使VTT和VTTR跟蹤1/2VDDQ，REFIN由VDDQ的電阻分壓器（R1和R2）開發(fā)。電容C6為去耦濾波器。MAX1957工作在恒定頻率PWM，使得VTT能夠根據DDR-SDRAM的要求提供和吸收電流。圖 2 中使用的組件提供超過 3 安培的拉電流和灌電流能力，這是 128Mb 內存系統(tǒng)的最大要求。

圖2.MAX1957典型應用電路，用于VTT和VTTR。

表 1.MAX1957典型應用電路的元件列表

圖 3 顯示了在 VTT 上承受 -3A 至 +3A 階躍負載時的 VTT 和 VTTR。VTT的峰值電壓偏差小于±40mV。

圖3.頂部跡線：電壓VTT（交流耦合）。底部跡線：電流ITT步進從-3A到+3A和從+3A到-3A。

圖 4 顯示了 VDDQ，隨著 VDDQ 的上升和下降，VTT 跟蹤到 VDDQ 的一半，顯示 VTT 的變化是 VDDQ 變化的一半。

圖4.頂部跡線：電壓VTT（交流耦合）。底部跡線：2.5V VDDQ（交流耦合）。

已經表明，MAX1957可用作同步降壓轉換器的控制器，以提供終止電壓V電傳用于DDR_SDRAM系統(tǒng)。對于要求更高電流的應用，MAX1957的驅動電路能夠驅動較大的外部功率MOSFET，輸出電流高達20A。

審核編輯：郭婷