Transphorm發布新的氮化鎵場效應管可靠性指標

日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發布了氮化鎵功率場效應管（FET）的最新可靠性指標。可靠性采用失效率（FIT）來衡量，這種分析方式考慮了在應用現場使用時客戶報告的故障器件數量。到目前為止，基于超過850億小時的現場操作進行測量，該公司全部產品組合的可靠性已達到平均值小于0.1 FIT的水平。這一指標在業界名類前茅，也是目前GaN電源解決方案中唯一報告的寬功率譜可靠性指標。

Transphorm在構建其GaN平臺之初便考慮了可靠性，在寬帶隙技術剛進入市場時便深知其重要性：盡管GaN擁有比硅基晶體管更高的性能，但若非器件在實際使用中出現故障，客戶不會在當時選擇切換到新技術。2019年，Transphorm成為首家公布完整驗證數據集以支持其可靠性聲明的GaN制造商。自此之后，該公司定期分享其GaN可靠性成果，幫助潛在客戶在選擇半導體供貨商時做出明智的決策。Transphorm上一次報告其FIT率是在2022年第一季度，數值小于0.3。

今年，Transphorm在改變客戶評估GaN FET選項方面又向前邁出了一步。公司經過考慮，將其可靠性數據分為兩類：

低功率：用于功率級別≤ 500W的應用中的GaN器件

高功率：用于功率級別》 500W的應用中的GaN器件

如果按功率級別類型來考察器件性能，Transphorm旗下GaN FET的可靠性指標如下，這些指標與硅基功率器件極為相近：

低功率：0.06 FIT

高功率：0.19 FIT

Transphorm業務發展與營銷高級副總裁Philip Zuk表示：“我們的高壓GaN器件適合極為廣泛的應用，涵蓋極為廣泛的功率譜，目前為45瓦到4千瓦，隨著GaN在新市場的應用，有可能達到10千瓦以上。這表明我們的技術具有顯著的通用性。然而，我們也意識到，僅僅報告涵蓋所有應用類型的單一可靠性指標，可能對客戶不會有太大幫助。我們認為有必要幫助他們獲得細分度更高的數據，以適用于客戶的具體設計要求。因此，我們在低功率和高功率之間做了細分。”

跨行業領導廠商

Transphorm憑借其器件質量和可靠性繼續保持高壓GaN的領導地位。該公司向各種終端市場發貨，如適配器、PC計算、區塊鏈、數據中心、可再生能源和電力存儲等。

關于Transphorm

Transphorm， Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1，000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。