采用碳化硅SiC技術封裝設計的SA111
SA111采用碳化硅（SiC）技術和領先的封裝設計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
SA111采用表面安裝式封裝，主體大小僅20mm x 20mm，提供32A持續輸出電流，最高支持650V供電電壓，開關頻率最高可達1MHz。
這款熱效率高的封裝采用頂端散熱方式，讓用戶能充分利用主板布局。
SA111的碳化硅MOSFET使得器件能經受更高的熱應力，最高能承受175°C的結溫。
SA111 SiC功率模塊提供完全集成的解決方案，配備集成的柵極驅動、欠壓鎖定和有源米勒鉗位，能提高器件控制力和保護能力。
業務拓展總監Jens Eltze表示：
“ SA111再次體現了Apex Microtechnology在非常小巧的占板面積內提供領先的大功率解決方案的能力。Apex榮獲專利的PQ封裝滿足了市場對于采用頂部冷卻的表面安裝式器件的需求。 ”
有了表面安裝式封裝類型和非常小巧的體積，設計師們就能充分利用板面積，可以使用多個器件來設計對功率要求高的電路。
各種目標應用場景包括MRI梯度線圈驅動、磁軸承、電動機、測試設備、服務器風扇、功率因數補償（PFC）、交流/直流轉換器和直流/直流轉換器。
審核編輯：劉清
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
151文章
9674瀏覽量
233544 -
直流轉換器
+關注
關注
0文章
515瀏覽量
22417 -
PFC
+關注
關注
49文章
1062瀏覽量
111236 -
SiC
+關注
關注
32文章
3721瀏覽量
69409
原文標題：APEX大功率半橋模塊能在小巧的表面安裝式封裝中實現更高的功率密度
文章出處：【微信號：APEX微技術，微信公眾號：APEX微技術】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南
基本半導體（BASiC Semiconductor）碳化硅（SiC）MOSFET 數據手冊（包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ），這兩款器件均
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告
基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備和新能源
Wolfspeed碳化硅技術實現大規模商用
碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來，它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC)
基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案
傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅
基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案
亞非拉市場工商業儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網不穩環境量身定制的技術革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC
國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮：國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC
國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應用
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅
基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優勢
BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現出顯著優勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳
基于國產碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案
基于BASIC Semiconductor基本半導體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代
碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相
在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅
低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”
蔓延，國產碳化硅逆變焊機或重蹈光伏逆變器早期“價格戰自毀”覆轍，最終淪為技術史上的失敗案例。唯有通過強制可靠性標準（如嚴格的TDDB和HTGB）、建立全生命周期質量追溯體系，并引導資本投向已驗證技術，才能挽救這一戰略產業。 1.
麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態測試中的應用
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管，相較于傳統硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關
發表于 04-08 16:00
先進碳化硅功率半導體封裝：技術突破與行業變革
本文聚焦于先進碳化硅（SiC）功率半導體封裝技術，闡述其基本概念、關鍵技術、面臨挑戰及未來發展趨勢。碳化
碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統硅基IGBT的新一代功率器件，在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現出顯著優勢，隨著國產碳化硅MOSFET技術、成本及供應鏈都日趨完善，國產
全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統的硅基功率器件持續躍升到SiC碳化硅
工商網監
評論