MOSFET 電源開關驅動器必須受到電池反接連接保護。小型整流二極管可以防止電池反接，但對于電池壽命至關重要的系統，這種方法通常是不可接受的。對于6V電池，二極管的正向壓降（典型值為0.6V至0.7V）會產生約10%的恒定功率損耗，該損耗隨著電池電壓的降低而增加。圖中顯示了對單二極管保護的改進。

MOSFET 電源開關驅動器必須受到電池反接連接保護。小型整流二極管可以防止電池反接，但對于電池壽命至關重要的系統，這種方法通常是不可接受的。對于6V電池，二極管的正向壓降（典型值為0.6V至0.7V）會產生約10%的恒定功率損耗，該損耗隨著電池電壓的降低而增加。

圖1顯示了對單二極管保護的改進。一個p溝道MOSFET （Q1）可保護驅動器（U1）免受電池反接插入的影響。Q1 的 10mΩ 或更低低導通電阻可產生僅幾毫伏的正向壓降（而二極管則為數百毫伏）。因此，用MOSFET代替二極管可立即提高效率。

圖1.一個外部 p 溝道 MOSFET （Q1） 可輕松保護該 MOSFET 驅動器 （U1） 免受電池反接和負載電流反接的影響。

將電池正電壓連接到Q1漏極時，其體二極管中產生正向偏置，使源極電壓比漏極電壓低一個二極管。當源電壓超過Q1的閾值電壓時，Q1導通。FET導通后，電池將完全連接到系統，并可為U1和負載供電。

錯誤插入的電池會使體二極管反向偏置。電源保持地電位，柵極接地，因此Q1保持關斷狀態，斷開反接電池與系統的連接。當您向后插入電池時，VDS 等于電池全負電壓，在某些應用中，Q1 可能必須承受電池電壓的許多倍的瞬態水平。Q1必須能夠承受V一般事務人員和 VDS電壓至少等于最大電池電壓。

除了電池反接保護外，圖1電路還可防止啟動時的反向負載電流。Q3 確保在 U1 使能兩個 n 溝道 MOSFET（Q2 和 Q3）之前沒有負載電流流動。反向負載電流可能導致Q1意外導通，使電路不受電池反接保護。

審核編輯：郭婷