作者：Kevin Scott and Henry Zhang

開(kāi)關(guān)模式電源常用的三種電流檢測(cè)方法是：使用檢測(cè)電阻，使用 MOSFET RDS（ON）并使用電感器的直流電阻 （DCR）。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，在選擇一種方法而不是另一種方法時(shí)應(yīng)考慮這些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。

檢測(cè)電阻電流檢測(cè)

檢測(cè)電阻作為電流檢測(cè)元件可實(shí)現(xiàn)最低的檢測(cè)誤差（通常在1%至5%之間）和非常低的溫度系數(shù)，約為100ppm/°C （0.01%）。它在性能方面提供最精確的電源;它有助于提供非常精確的電源電流限制，并在多個(gè)電源并聯(lián)時(shí)促進(jìn)精確的均流。

圖1.R意義電流檢測(cè)

另一方面，由于在電源設(shè)計(jì)中增加了一個(gè)電流檢測(cè)電阻，該電阻也會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。因此，與其他檢測(cè)技術(shù)相比，檢測(cè)電阻電流監(jiān)控技術(shù)可能具有更高的功耗，從而導(dǎo)致解決方案的整體效率略有降低。專(zhuān)用電流檢測(cè)電阻也可能增加解決方案成本，因?yàn)闄z測(cè)電阻的成本通常在0.05美元至0.20美元之間。

選擇檢測(cè)電阻時(shí)不應(yīng)忽略的另一個(gè)參數(shù)是其寄生電感（也稱(chēng)為有效串聯(lián)電感或ESL）。檢測(cè)電阻被正確建模為具有有限電感的串聯(lián)電阻。

圖2.R意義ESL 模型

該電感取決于所選的特定檢測(cè)電阻。某些類(lèi)型的電流檢測(cè)電阻器，例如金屬板電阻器，具有低ESL，是首選。相比之下，繞線(xiàn)檢測(cè)電阻由于其封裝結(jié)構(gòu)而具有更高的ESL，應(yīng)避免使用。通常，ESL效應(yīng)會(huì)隨著電流水平的增加、檢測(cè)信號(hào)幅度的減小和布局不當(dāng)而變得更加明顯。它還包括電路的總電感，增加了元件引線(xiàn)和其他電路元件引起的寄生電感。電路的總電感也受布局的影響，因此必須適當(dāng)考慮元件的放置;放置不當(dāng)會(huì)影響穩(wěn)定性并加劇現(xiàn)有的電路設(shè)計(jì)問(wèn)題。

檢測(cè)電阻ESL的影響可以是輕微的，也可以是嚴(yán)重的。ESL可能導(dǎo)致開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器上出現(xiàn)明顯的振鈴，從而對(duì)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通產(chǎn)生不利影響。它還會(huì)給電流檢測(cè)信號(hào)增加紋波，導(dǎo)致波形中出現(xiàn)電壓階躍，而不是如下所示的預(yù)期鋸齒波形。這會(huì)降低電流檢測(cè)精度。

圖3.R意義ESL會(huì)對(duì)電流檢測(cè)產(chǎn)生不利影響

為了最小化電阻ESL，請(qǐng)避免使用具有長(zhǎng)環(huán)路（如繞線(xiàn)電阻器）或長(zhǎng)引線(xiàn)（如高輪廓電阻器）的檢測(cè)電阻器。薄型表面貼裝器件是首選;示例包括“板”結(jié)構(gòu) SMD 尺寸 0805、1206、2010、2512;更好的選擇包括反向幾何 SMD 尺寸 0612 和 1225。

基于功率 MOSFET 的電流檢測(cè)

通過(guò)使用 MOSFET R 實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且經(jīng)濟(jì)高效的電流檢測(cè)DS（ON）用于電流檢測(cè)。LTC?3878 是一款采用這種方法的器件。它采用恒定導(dǎo)通時(shí)間、谷值模式電流檢測(cè)架構(gòu)。在這里，頂部開(kāi)關(guān)打開(kāi)固定時(shí)間，之后底部開(kāi)關(guān)打開(kāi)，其 RDS壓降用于檢測(cè)電流“谷值”或電流下限。

圖4.場(chǎng)效應(yīng)管 RDS（ON）電流檢測(cè)

雖然價(jià)格低廉，但這種方法也存在一些缺點(diǎn)。首先，它不是很準(zhǔn)確;在 R 的范圍內(nèi)可以有很大的變化（大約 33% 或更多）DS（ON）值。它也可以具有非常大的溫度系數(shù);大于 80% 的值超過(guò) 100C 并非不可能。此外，如果使用外部MOSFET，則必須考慮MOSFET寄生封裝電感。對(duì)于非常高的電流水平，不建議使用這種類(lèi)型的檢測(cè)，尤其是對(duì)于需要良好相位均流的多相電路。

電感直流電阻電流檢測(cè)

電感直流電阻（DCR）電流檢測(cè)利用電感繞組的寄生電阻來(lái)測(cè)量電流，從而消除了檢測(cè)電阻。這降低了組件成本并提高了電源效率。與 MOSFET R 相比DS（ON），銅線(xiàn)繞組的電感DCR通常具有較小的部件間變化，盡管它仍然隨溫度而變化。它在低輸出電壓應(yīng)用中受到青睞，因?yàn)闄z測(cè)電阻兩端的任何壓降都代表輸出電壓的很大一部分。RC網(wǎng)絡(luò)與串聯(lián)電感和寄生電阻組合并聯(lián)放置，并測(cè)量電容C1兩端的檢測(cè)電壓（圖5）。

圖5.電感直流電阻電流檢測(cè)

通過(guò)正確選擇元件（R1*C1 = L/DCR），電容C1兩端的電壓將與電感電流成正比。為了將測(cè)量誤差和噪聲降至最低，最好使用較低的R1值。

由于該電路不直接測(cè)量電感電流，因此無(wú)法檢測(cè)電感飽和。因此，建議使用具有“軟飽和度”的電感器，如鐵功率磁芯電感器。這些電感器的磁芯損耗通常高于同類(lèi)鐵氧體磁芯電感器。與 R 相比意義方法中，電感DCR檢測(cè)消除了檢測(cè)電阻的功率損耗，但可能會(huì)增加電感磁芯損耗。

使用兩個(gè) R意義和DCR傳感方法，由于傳感信號(hào)小，需要開(kāi)爾文傳感。保持開(kāi)爾文感測(cè)跡線(xiàn)（感測(cè)和感測(cè)）很重要+–在圖5中）遠(yuǎn)離嘈雜的銅區(qū)域和其他信號(hào)走線(xiàn)，以最大限度地減少噪聲拾取。某些器件 （例如 LTC3855） 具有溫度補(bǔ)償 DCR 檢測(cè)功能，從而在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提高了準(zhǔn)確度。

下表總結(jié)了不同類(lèi)型的電流檢測(cè)方法以及每種方法的優(yōu)缺點(diǎn)。

上述每種方法都為開(kāi)關(guān)模式電源提供額外的保護(hù)。根據(jù)設(shè)計(jì)要求，精度、效率、熱應(yīng)力、保護(hù)和瞬態(tài)性能的權(quán)衡都可能影響選擇過(guò)程。電源設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)選擇電流檢測(cè)方法和功率電感，并正確設(shè)計(jì)電流檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)。凌力爾特的 LTpowerCAD 設(shè)計(jì)工具和 LTspice 電路仿真工具等計(jì)算機(jī)軟件程序在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)工作和獲得最佳結(jié)果方面非常有幫助。

其他電流檢測(cè)方法

還有其他電流檢測(cè)方法可用。例如，電流檢測(cè)變壓器通常與隔離電源一起使用，以提供跨越隔離柵的電流信號(hào)信息。這種方法通常比上面討論的三種技術(shù)更費(fèi)錢(qián)。此外，近年來(lái)還出現(xiàn)了集成柵極驅(qū)動(dòng)器（DrMOS）的新型功率MOSFET，這些功率MOSFET也集成了電流檢測(cè)，但迄今為止，還沒(méi)有足夠的數(shù)據(jù)來(lái)判斷DrMOS檢測(cè)在檢測(cè)信號(hào)的精度和質(zhì)量方面的工作情況。

審核編輯：郭婷