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改進的DAC相位噪聲測量支持超低相位噪聲DDS應(yīng)用

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:Peter Delos and Jarre ? 2023-01-04 11:30 ? 次閱讀
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作者:Peter Delos and Jarrett Liner

在雷達應(yīng)用中,相位噪聲是需要高雜波衰減的系統(tǒng)的關(guān)鍵性能指標。相位噪聲是所有無線電系統(tǒng)關(guān)注的問題,但雷達尤其需要相位噪聲性能,頻率偏移比通信系統(tǒng)更接近載波。

這些高性能系統(tǒng)中的系統(tǒng)設(shè)計人員將選擇超低相位噪聲振蕩器,從噪聲角度來看,信號鏈的目標是將振蕩器相位噪聲曲線的退化降至最低。這需要對信號鏈中的各種元件進行殘余或附加相位噪聲測量。

最近發(fā)布的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC)對于頻率轉(zhuǎn)換級所需的任何LO的波形生成和頻率創(chuàng)建都極具吸引力。然而,雷達物鏡對DAC相位噪聲性能提出了挑戰(zhàn)。

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圖1.AD9164相位噪聲改善

在本文中,我們將展示使用AD9164 DAC在10 kHz失調(diào)下測得的改進超過10 dB。圖1顯示了改進情況,我們將討論如何通過電源穩(wěn)壓器選擇和測試設(shè)置改進的組合來實現(xiàn)結(jié)果。

相位噪聲定義

相位噪聲是周期信號過零偏差的量度。考慮具有相位波動的余弦波

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相位噪聲由相位變化的功率譜密度確定

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線性術(shù)語中,單側(cè)相位噪聲定義為

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相位噪聲通常以dBc/Hz為單位表示,從10log(L(f)開始)。然后繪制相對于RF載波的偏移頻率的相位噪聲數(shù)據(jù)。

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圖2.相位噪聲圖法。

相位噪聲的一個重要進一步定義是絕對相位噪聲與殘余相位噪聲。絕對相位噪聲是在系統(tǒng)中測量的總相位噪聲。殘余相位噪聲是被測器件的附加相位噪聲。這種區(qū)別在測試設(shè)置和確定系統(tǒng)中組件級相位噪聲貢獻的過程中變得至關(guān)重要。

DAC/DDS 相位噪聲測量方法

本節(jié)中的圖說明了DDS相位噪聲測試設(shè)置。對于DAC相位噪聲測量,假設(shè)DAC用作直接數(shù)字頻率合成器(DDS)子系統(tǒng)的一部分。DDS通過數(shù)字正弦波模式實現(xiàn)到DAC,該DAC可以位于單片IC中,也可以是FPGAASIC與DAC通信。在現(xiàn)代DDS設(shè)計中,數(shù)字相位誤差可以遠小于DAC誤差,DDS相位噪聲測量通常受到DAC性能的限制。

最簡單和最常見的測試設(shè)置如圖3所示。時鐘源用于DDS,DDS輸出饋送到互相關(guān)型相位噪聲分析儀。這很容易實現(xiàn),因為只需要一個 DDS。但是,使用此測試設(shè)置,無法提取振蕩器貢獻以僅顯示DDS相位噪聲。

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圖3.絕對相位噪聲 DDS 測試設(shè)置包括 DAC 和振蕩器噪聲。

圖4顯示了從測量中消除振蕩器相位噪聲的兩種常用方法,從而提供殘余噪聲測量。測量的缺點是測試設(shè)置中需要額外的DAC。但是,其好處是可以更好地指示DAC相位噪聲貢獻,可以應(yīng)用于系統(tǒng)級分析預(yù)算。

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圖4a.DDS使用鑒相器方法測量殘余相位噪聲。

圖4a顯示了鑒相器方法。在這種情況下,使用兩個DAC,振蕩器的貢獻在下變頻至直流時從兩個DUT中減去。

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圖4b.DDS使用互相關(guān)法測量殘余相位噪聲。

圖4b顯示了使用互相關(guān)相位噪聲分析的方法。在這種情況下,DDS2和DDS3用于將時鐘貢獻轉(zhuǎn)換為測量的LO端口,在互相關(guān)算法中去除它們的貢獻,并在測量中獲得DDS1殘余相位噪聲。

電源噪聲貢獻

在低噪聲模擬和RF設(shè)計中,電源噪聲是需要考慮的眾所周知的因素。周期性調(diào)制到RF載波上的電源紋波,并在等于紋波頻率的頻率偏移處在RF載波上產(chǎn)生雜散。穩(wěn)壓器1/f噪聲也會調(diào)制到RF載波上,并影響相位噪聲曲線。圖 5 說明了這些原理。

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圖5.調(diào)制到RF載波上的電源缺陷。

測量結(jié)果

在研究真正的DAC相位噪聲性能時,考慮了測試設(shè)置和穩(wěn)壓器噪聲性能。

最初的DAC評估板包括用于模擬和時鐘電壓的ADP1740穩(wěn)壓器。將噪聲頻譜密度與最近發(fā)布的超低噪聲穩(wěn)壓器進行了比較,并選擇了ADM7155。圖6顯示了產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊中所示的噪聲密度比較。電源修改只是將ADM7155用于AD9164時鐘(數(shù)據(jù)手冊引腳VDD12_CLK)和模擬電壓(數(shù)據(jù)手冊引腳VDD12A)。

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圖6.穩(wěn)壓器噪聲密度比較。請注意Y軸單位——ADM7155改進了一個數(shù)量級。

接下來,考慮殘余相位噪聲測量的測試設(shè)置選項。羅德與施瓦茨FSWP選擇互相關(guān)方法主要是出于可用性和便利性。使用的測試設(shè)置如圖7所示。

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圖7.AD9164相位噪聲測量的測試設(shè)置

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圖8.AD9164 800 MHz輸出相位噪聲比較

圖 8 是三種情況的測量結(jié)果。采用絕對相位噪聲方法進行的初始評估板測量結(jié)果顯示為紅色曲線。淺藍色曲線也是絕對測量值,但隨著調(diào)節(jié)器的改進。深藍色曲線是殘余相位噪聲測量值,還包括穩(wěn)壓器改進。

測量表明初始測量中有三個一般限制區(qū)域,這些區(qū)域在調(diào)查開始時并不明顯。低于1 kHz的頻率受到時鐘源噪聲接近的限制。1 kHz至100 kHz的頻率受到穩(wěn)壓器選擇的限制。100 kHz以上的頻率受到時鐘源的限制。10 MHz以上的急劇下降是時鐘源的貢獻,因為使用的時鐘是產(chǎn)生6 GHz的乘法晶體振蕩器,滾降來自乘法級中使用的RF濾波器。

在額外的DAC頻率下進行了穩(wěn)壓器改進的殘余相位噪聲測量,圖9總結(jié)了幾個。這些修改在多個評估板上重復(fù),所有案例都顯示出相同的改進結(jié)果。

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Figure 9. AD9164 residual phase noise measurements with low noise regulator improvement.

部件號 V在最小 (V) V在最大 (V) V外選項或調(diào)整范圍 (V) 我外(毫安) PSRR @ 100 nkHz (dB) PSRR @ 1 MHZ (dB) 有效值噪聲 100 Hz 至 100 kHz (μV rms)1 噪聲頻譜密度 100 kHz (nV/√Hz) 輟學(xué) @ 分級 I外典型值(毫伏) 最大總針燦 (±%)
ADM7150 4.5 16 固定:1.5 到 5.0 800 94 62 1 2 600 2 3 mm × 3 mm、8 引腳 LFCSP、8 引腳 SOIC
ADM7151 4.5 16 可調(diào):1.5 至 5.1 800 94 62 1 2 600 2 3 mm × 3 mm、8 引腳 LFCSP、8 引腳 SOIC
ADM7154 2.3 5.5 固定:1.2 至 3.3 600 90 58 1 1.2 120 2 3 mm × 3 mm、8 引腳 LFCSP、8 引腳 SOIC
ADM7155 2.3 5.5 可調(diào) 1.2 至 3.3 600 90 58 1 1.2 120 2 3 mm × 3 mm、8 引腳 LFCSP、8 引腳 SOIC

具有類似噪聲密度的超低噪聲穩(wěn)壓器系列如表1所示。如圖所示,對DAC相位噪聲的影響很大,對于RF系統(tǒng)中需要最佳相位噪聲性能的任何區(qū)域,也建議考慮這些影響。

總結(jié)

對基本定義、絕對與殘余相位噪聲、DAC相位噪聲測量測試設(shè)置和穩(wěn)壓器噪聲貢獻進行了相位噪聲審查。

通過包括殘余相位噪聲測試方法和最佳穩(wěn)壓器選擇,證明了DAC相位噪聲的改善。最終結(jié)果是,當(dāng)模擬電壓和時鐘電壓由ADI公司的低噪聲穩(wěn)壓器系列供電時,AD9164現(xiàn)在成為基于DDS的超低相位噪聲應(yīng)用的使能器。

審核編輯:郭婷

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