隔離：社交、Isaac Newton 和 MOSFET

作家的職業是孤獨的。這是一場意志力的內戰，電子頁面的空白畫布正盯著你的眼睛，與引導和利用各種糾結的概念、思想和想法成為一個統一、有凝聚力的整體的精神壓力和不安保持平衡.

我孤立地寫作。我在家里的辦公室里做這件事，關上門以隔絕我四處游蕩的金毛獵犬 Aspen 的噪音。不知何故，我在自我隔離中創作的東西被發表了。它走向世界。它有所作為。它獲得了關注和關注。它是我的聲音和想法的放大版，供技術社區閱讀和消化。我的思想被放大并獲得力量和存在。

當我獨自坐在辦公室寫這篇文章時，世界已經改變了。現在社會孤立是當今的背景。我們被告知要呆在家里，不惜一切代價避開人群。與他人保持安全距離。世界已經轉向社會孤立。

數學家、物理學家、天文學家和作家艾薩克·牛頓（Isaac Newton，1643-1727 年）有效地利用了他與社會隔絕的時間（圖 1）。

當 1665 年倫敦的腺鼠疫肆虐時，劍橋大學關門了。艾薩克·牛頓離開大學回到家鄉，在倫敦以北約 151 公里的一個小村莊伍爾索普莊園消磨時光（圖 2）。在這個富有成效的時期，被稱為牛頓的奇跡年（奇跡之年），他后來將其視為他最重要的思想和想法的一些時期。正是在他的莊園里工作的這段時間里，他開始產生與微積分、光學理論的一部分和引力概念相關的想法。

las，我不是牛頓，我目前也沒有想出新的方法來解決與解決如何處理連續變化相關的數學問題。

然而，隔離一直是金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 半導體工作方式的一部分。MOSFET 是電壓控制器件。在 MOSFET 中，柵極 (G) 電極與漏極 (D) 和源極 (S) 端子電氣隔離。電氣隔離的高阻抗路徑是由一層薄薄的絕緣材料以金屬氧化物的形式放置在半導體中而形成的。因此，MOSFET 具有非常高的輸入阻抗。如果 MOSFET 的高輸入阻抗因向柵極施加電壓而結束，則會形成一條低阻抗路徑，以便信號和功率在先前隔離的電路之間流動。正因為如此，MOSFET 才發現像電源開關一樣無處不在的部署。

打開強大開關的大門

使用 SiC 和寬帶隙半導體等新材料可以提高能效、縮小設備尺寸和減輕重量，這是邁向節能世界的下一個關鍵步驟。Infineon Technologies 隨時準備通過硅 (Si)、碳化硅 (SiC)、絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 和氮化鎵 (GaN) 等多種產品來滿足下一代節能功率器件的這一需求設備，是所有領域的領先供應商。繼續閱讀以了解一些專為支持下一代高功率開關應用而設計的英飛凌產品。

Infineon Technologies EVAL-1EDC20H12AH-SIC 評估板

Infineon Technologies EVAL-1EDC20H12AH-SIC 評估板具有 EiceDRIVER ? 1EDC20H12AH 和 CoolSiC ? MOSFET IMZ120R045M1（圖 3）。設計人員使用該板開發和演示英飛凌 EiceDRIVER 和英飛凌 CoolSiC MOSFET 的功能和主要特性。讓我們進一步了解英飛凌的柵極驅動器和CoolSiC MOSFET。

圖 3：Infineon Technologies EVAL-1EDC20H12AH-SIC 評估板可幫助設計人員開發和測試 EiceDRIVER? 柵極驅動器 IC 和 CoolSiC? MOSFET 的特性和功能。（來源：貿澤電子）

柵極驅動器 IC

EiceDRIVER ? SiC MOSFET 柵極驅動器 IC非常適合驅動 SiC MOSFET，尤其是 Infineon 的超快速開關 CoolSiC ? SiC MOSFET（圖 4）。EiceDRIVER ?柵極驅動器提供范圍廣泛的典型輸出電流選項，從 0.1A 到 10A。這些柵極驅動器結合了 SiC 驅動最重要的關鍵特性和參數：嚴格的傳播延遲匹配、精確的輸入濾波器、寬輸出側電源范圍、負柵極電壓能力、有源米勒鉗位、去飽和檢測電路功能 (DESAT) 保護，以及擴展的 CMTI 功能。

圖 4：EiceDRIVER? 隔離式和非隔離式柵極驅動器 IC 基于 Infineon 的無芯變壓器技術，非常適合驅動超快速開關 CoolSiC? SiC MOSFET。（來源：貿澤電子）

CoolSiC ?碳化硅溝槽 MOSFET

與硅 (Si) 相比，碳化硅 (SiC) 具有三電子伏特 (eV) 的寬帶隙和高得多的熱導率。英飛凌革命性的CoolSiC ? MOSFET技術實現了全新的產品設計。基于 SiC 的 MOSFET 最適合在高頻下運行的高擊穿、高功率應用（圖 5）。CoolSiC MOSFET 產品非常適合 1200V 目標光伏逆變器、電池充電和儲能。與硅相比，R DS(on)等器件參數隨溫度變化較小。這使設計人員可以在更小的設計余量范圍內工作，從而提供額外的性能。

圖 5：Infineon Technologies CoolSiC? 1200V SiC 溝槽 MOSFET 支持更高的開關頻率，并在節省空間的封裝中減少散熱。（來源：貿澤電子）

結論

嗯，是時候了。是時候讓我走出在辦公桌前工作的孤立狀態了。是時候離開我辦公室的大門，進入我家的世界了。誠然，我可能沒有讓您對我對微積分或折射光學的知識感到敬畏。然而，我希望我的努力能夠打開您的思維之門，讓您在下一個高功率開關設計中考慮柵極驅動器和 SiC MOSFET——它們具有更高的開關能力、更小的尺寸、更輕的重量和更高的功率效率。

Paul Golata 于 2011 年加入貿澤電子。作為一名高級技術專家，Paul 通過推動戰略領導、戰術執行以及先進技術相關產品的整體產品線和營銷方向，為貿澤的成功做出了貢獻。他通過提供獨特而有價值的技術內容，為設計工程師提供電氣工程領域的最新信息和趨勢，促進并提升貿澤電子作為首選分銷商的地位。

在加入 Mouser Electronics 之前，Paul 曾在 Hughes Aircraft Company、Melles Griot、Piper Jaffray、Balzers Optics、JDSU 和 Arrow Electronics 擔任過各種制造、營銷和銷售相關職務。他擁有 DeVry 理工學院（伊利諾伊州芝加哥）的 BSEET；佩珀代因大學（加利福尼亞州馬里布）的工商管理碩士學位；來自西南浸信會神學院（德克薩斯州沃思堡）的 MDiv w/BL；以及西南浸信會神學院（德克薩斯州沃思堡）的博士學位。

審核編輯黃宇