要想把GaN的特性完全發揮出來，需要優秀的電源管理芯片(PMIC)來支持。

在實現高頻率、高效率的同時，還要確保電源在各種極端應用場景下可靠、穩定且無噪音的工作。

芯茂微第二代內置GaN高頻QR驅動器

為提升工程師布板的便利性，簡化客戶的工作量，芯茂微推出合封Gan芯片LP88G24DCD

LP88G24DCD內置650V級聯型結構的GaN功率器件，采用QFN8*8封裝，進一步減小芯片占板面積，底部采用一體化銅基板設計，具有極佳的散熱性能。

芯片引腳間爬電距離2mm

為適應各種惡劣場景下使用，如：潮濕、極寒、極熱和高海拔地區；這些場合，需要充足的爬電距離，才能在極端情況下確保高低壓之間不發生擊穿；

LP88G24DCD HV引腳、Drain引腳，高壓引腳與低壓信號引腳之間的爬電距離拉遠到了2mm；因此，在各種電源應用場合中都具有極高的可靠性。

優異的EMC性能

由于LP88G24DCD 合封芯片將主控和GaN的驅動腳都外置，且相鄰布置，可以方便的通過串聯電阻來改善EMC性能。

豐富的保護功能，根據保護后動作的不同
分為：

在QR模式下，工作頻率25kHz~500kHz，并具有谷底鎖定開通模式

內置高壓啟動（HV）和X電容泄放功能

極輕載時“軟跳頻”工作模式可實現低功耗、無噪音

芯片內置輸出電流感應和計算單元，可以準確控制電源的輸出過流點

單&雙 繞組變壓器可選?靈活的方案設計

雙繞組：可以減少高壓輸出時的功耗

單繞組：利用VccH供電，無需外接LDO電路

35V的VccL腳被設定為優先供電腳，當VccL的電壓低于9V時才接通VccH供電；可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式，以節約高輸出電壓時的功率消耗；

亦可以只使用VccH管腳（耐壓200V），以節約外部LDO器件或Vcc繞組及整流濾波電路的成本。

65W PD Demo

具有精簡的設計線路，外圍簡單，進一步縮小產品體積

高壓轉換效率94%以上

低壓轉換效率92%以上

優異的待機功耗

優異的EMI特性

AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-N

AC230V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC230V/50Hz-20V/3.25ACE-N

AC115V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC115V/50Hz-20V/3.25A 水平

AC230V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC230V/50Hz-20V/3.25A 水平

審核編輯：劉清