在功率半導體領域,除了二極管、三極管(晶體管),最重要的元器件莫過于晶閘管。
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?電子元件的性能往往與其結構息息相關。晶閘管是四層三端器件,PNPN四層半導體結構,中間形成三個PN結:J1、J2、J3,從最上面的P1層引出陽極a,從最下面的N2引出陰極k,由中間的P2層引出控制極g(門極)。
?晶閘管結構等效于“pnp型”和“npn型”兩個晶體管排列組成的復合電路。pnp晶體管的發射極和npn晶體管的基極都連在晶閘管g極上;pnp晶體管的基極則和npn晶體管的集電極串聯。
?下圖顯示了晶閘管的摻雜圖。注意,對應于NPN晶體管的等效發射極的陰極K被重摻雜,如N +所示。門極G也重摻雜(P +),它是PNP晶體管的等效發射極。與等效晶體管V1基極和V2集電極區域相對應的兩個中間層的摻雜程度較輕:N-和P。
?根據等效電路,我們讓兩個晶體管V1和V2都導通,晶閘管便導通。那么怎樣才能讓V1和V2同時導通呢?(三極管的導通與截止,其實質是其內部PN結的單向導通與截止。)
首先我們在AK兩極間加上正向電壓,PN結J1和J3正偏導通,J2反偏截止,外加電壓幾乎全部落在J2身上,由于反偏J2阻斷電流,通過電流非常小,因此晶閘管不導通。
?當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。怎么做呢?我們在GK兩極間也加上正向電壓,產生足夠的門極電流Ig流入晶體管V2。對于NPN型晶體管V2來說,此時它的發射結(J3)正偏,集電結(J2)反偏,處于放大工作狀態,Ig經過V2放大后,形成集電結電流Ic2,假設V2放大系數為β2,Ic2=β2*Ig。由于V1的基極和V2的集電極串聯,因此,Ic2也是V1的基極電流。基極電流再經過V1放大,形成集電極電流Ic1,假設V1放大系數為β1,Ic1=β1*Ic2=β1*β2*Ig。由于V1的集電極和V2的基極都連在g極上,因此,Ic1=Ig,即放大后的電流又作為V2的基極電流再被放大,如此循環往復,形成正反饋過程,從而使晶閘管完全導通(V1和V2均放大到飽和狀態)。這個導通過程是在極短的時間內完成的,一般不超過幾微秒,稱為觸發導通過程。簡而言之,晶閘管導通的條件是:加上陽極和門極正向電壓。
?晶閘管一旦觸發導通,便無法控制關斷。但真要關斷晶閘管,也不是沒有辦法。關斷導通晶閘管的條件是將流過晶閘管的電流減小到一個很小的值,接近于0。
?晶閘管的優點很多,例如:
?晶閘管可以用弱信號控制強信號,能在大電流下工作,屬于大功率器件。晶閘管用幾十到一二百毫安電流,兩到三伏的電壓可以控制幾十安、千余伏的工作電流電壓,換句話說,它的功率放大倍數可以達到數十萬倍以上。由于元件的功率增益可以做得很大,所以在許多晶體管放大器功率達不到的場合,它可以發揮作用。那晶閘管是如何做到功率放大很多倍的呢?因為晶閘管自身的正反饋作用。如上面提到的那樣,當晶閘管在正向門極電壓下,從門極G流入電流Ig,經過NPN管V2和PNP管V1的放大,Ig增大到:Ig(現在)=β1*β2*Ig(原來)增大后的Ig再流經NPN管的發射結,從而提高放大系數β2,產生足夠大的集電極電流IC2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數β1,產生更大的集電極電流IC1流經NPN管的發射結,這樣強烈的正反饋過程迅速進行,直至V1和V2飽和導通。
?功能不一樣:晶體管的功能是檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。而普通晶閘管的功能則是可控整流(所以晶閘管也叫做可控硅)。優點不一樣:晶閘管的優點是以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等。晶體管的優點則是輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等。分類不一樣:晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。結語:自1957年誕生以來,經過幾十年的發展,如今的晶閘管已廣泛的應用在各種電路,以及電子設備中。隨著新材料的出現,新工藝的采用,單只晶閘管的電流容量從幾安發展到幾千安,耐壓等級從幾百伏提高到幾千伏,工作頻率大大提高,器件的動態參數也有很大改進。未來隨著應用領域的拓展,晶閘管將繼續沿著高電壓、大電流、快速、模塊化、功率集成化、廉價的方向發展。
?關于晶閘管的疑問,答案都在這!
01 什么是晶閘管?
晶閘管,即可控硅(SCR),是一種通過開關控制電流的半導體元件。與二極管、三極管這類小功率器件不同,晶閘管可作為大電流下的開關元件,在功率控制電路中發揮重要的作用。
02 晶閘管結構是怎么樣的?
?電子元件的性能往往與其結構息息相關。晶閘管是四層三端器件,PNPN四層半導體結構,中間形成三個PN結:J1、J2、J3,從最上面的P1層引出陽極a,從最下面的N2引出陰極k,由中間的P2層引出控制極g(門極)。
?晶閘管結構等效于“pnp型”和“npn型”兩個晶體管排列組成的復合電路。pnp晶體管的發射極和npn晶體管的基極都連在晶閘管g極上;pnp晶體管的基極則和npn晶體管的集電極串聯。
?下圖顯示了晶閘管的摻雜圖。注意,對應于NPN晶體管的等效發射極的陰極K被重摻雜,如N +所示。門極G也重摻雜(P +),它是PNP晶體管的等效發射極。與等效晶體管V1基極和V2集電極區域相對應的兩個中間層的摻雜程度較輕:N-和P。

03 晶閘管在什么條件下導通?
?根據等效電路,我們讓兩個晶體管V1和V2都導通,晶閘管便導通。那么怎樣才能讓V1和V2同時導通呢?(三極管的導通與截止,其實質是其內部PN結的單向導通與截止。)
首先我們在AK兩極間加上正向電壓,PN結J1和J3正偏導通,J2反偏截止,外加電壓幾乎全部落在J2身上,由于反偏J2阻斷電流,通過電流非常小,因此晶閘管不導通。
?當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。怎么做呢?我們在GK兩極間也加上正向電壓,產生足夠的門極電流Ig流入晶體管V2。對于NPN型晶體管V2來說,此時它的發射結(J3)正偏,集電結(J2)反偏,處于放大工作狀態,Ig經過V2放大后,形成集電結電流Ic2,假設V2放大系數為β2,Ic2=β2*Ig。由于V1的基極和V2的集電極串聯,因此,Ic2也是V1的基極電流。基極電流再經過V1放大,形成集電極電流Ic1,假設V1放大系數為β1,Ic1=β1*Ic2=β1*β2*Ig。由于V1的集電極和V2的基極都連在g極上,因此,Ic1=Ig,即放大后的電流又作為V2的基極電流再被放大,如此循環往復,形成正反饋過程,從而使晶閘管完全導通(V1和V2均放大到飽和狀態)。這個導通過程是在極短的時間內完成的,一般不超過幾微秒,稱為觸發導通過程。簡而言之,晶閘管導通的條件是:加上陽極和門極正向電壓。而最有意思的是,晶閘管導通后,即便去掉門極正向電壓,晶閘管依靠自身的正反饋作用仍然可以維持導通,晶閘管成為不可控——無法控制關斷。這就是晶閘管稱為“半可控元器件”的原因,即可控制導通、無法控制關斷。
04 如何關閉晶閘管?
?晶閘管一旦觸發導通,便無法控制關斷。但真要關斷晶閘管,也不是沒有辦法。關斷導通晶閘管的條件是將流過晶閘管的電流減小到一個很小的值,接近于0。此時控制門極電壓顯然沒用,只能降低或撤掉陽極正向電壓,或者加大電阻,又或者給陽極換上反向電壓,來讓晶閘管電流變成小直到接近0,從而關斷晶閘管。
05 晶閘管有什么優點/缺點?
?晶閘管的優點很多,例如:-
以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;
-
反應極快,在微秒級內開通、關斷;
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無觸點運行,無火花、無噪聲;
- 效率高,成本低等。
晶閘管的弱點:靜態及動態的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。
06 為什么晶閘管能處理大電流?
?晶閘管可以用弱信號控制強信號,能在大電流下工作,屬于大功率器件。晶閘管用幾十到一二百毫安電流,兩到三伏的電壓可以控制幾十安、千余伏的工作電流電壓,換句話說,它的功率放大倍數可以達到數十萬倍以上。由于元件的功率增益可以做得很大,所以在許多晶體管放大器功率達不到的場合,它可以發揮作用。那晶閘管是如何做到功率放大很多倍的呢?因為晶閘管自身的正反饋作用。如上面提到的那樣,當晶閘管在正向門極電壓下,從門極G流入電流Ig,經過NPN管V2和PNP管V1的放大,Ig增大到:Ig(現在)=β1*β2*Ig(原來)增大后的Ig再流經NPN管的發射結,從而提高放大系數β2,產生足夠大的集電極電流IC2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數β1,產生更大的集電極電流IC1流經NPN管的發射結,這樣強烈的正反饋過程迅速進行,直至V1和V2飽和導通。晶體管的放大系數β正常情況下在幾十到100多的范圍內,因此晶閘管功率放大倍數可以達到數十萬倍以上。
07 晶閘管和三極管有什么區別?
?功能不一樣:晶體管的功能是檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。而普通晶閘管的功能則是可控整流(所以晶閘管也叫做可控硅)。優點不一樣:晶閘管的優點是以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等。晶體管的優點則是輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等。分類不一樣:晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。結語:自1957年誕生以來,經過幾十年的發展,如今的晶閘管已廣泛的應用在各種電路,以及電子設備中。隨著新材料的出現,新工藝的采用,單只晶閘管的電流容量從幾安發展到幾千安,耐壓等級從幾百伏提高到幾千伏,工作頻率大大提高,器件的動態參數也有很大改進。未來隨著應用領域的拓展,晶閘管將繼續沿著高電壓、大電流、快速、模塊化、功率集成化、廉價的方向發展。
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原文標題:為什么晶閘管能在大電流下工作?
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發表于 03-10 13:42
為什么晶閘管能在大電流下工作?
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