盛美半導體設備（上海）股份有限公司對其300mm Ultra Fn立式爐干法工藝平臺進行了功能擴展，研發出新型Ultra Fn A立式爐設備。該設備的熱原子層沉積（ALD）功能豐富了盛美上海立式爐系列設備的應用。首臺Ultra Fn A立式爐設備已于9月底運往中國一家先進的邏輯制造商。

盛美上海董事長王暉表示：“隨著邏輯節點的不斷縮小，越來越多的客戶為滿足其先進的工藝要求，努力尋找愿意合作的供應商共同開發。ALD是先進節點制造中增長最快的應用之一，是本公司立式爐管系列設備的關鍵性新性能。得益于對整個半導體制造工藝的深刻理解和創新能力，我們能夠迅速開發全新的濕法和干法設備，以滿足新興市場的需求。全新ALD立式爐設備基于公司現有的立式爐設備平臺，搭載差異化創新設計，軟件算法優化等實現原子層吸附和均勻沉積。”

盛美上海新型熱ALD設備可沉積氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出廠的首臺Ultra Fn A設備將用于28納米邏輯制造流程，以制造側壁間隔層。此工藝要求刻蝕速率極低，且臺階覆蓋率良好，與其他實現模式相比，Ultra Fn A立式爐設備在模擬中實現了均一性的改善。

Ultra Fn A的特點

盛美上海Ultra Fn A設備以Ultra Fn立式爐設備平臺的成功為基礎，能滿足原子層沉積工藝的同時具備低累積膜厚氣體清洗功能，保證顆粒的穩定性。Ultra Fn A立式爐設備聚焦核心技術研發，力求滿足高產能批式ALD工藝的高端要求。

可通過簡單改變微小的組件和細微的布局對設備進行個性化定制，這使得新型ALD工藝的開發得以迅速提升。其創新設計還巧妙融合了盛美上海成熟的軟件技術、可提高耐用性和可靠性的新硬件以及盛美上海獨家專利工藝控制IP，以實現快速而穩定的工藝控制。

審核編輯：湯梓紅