MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場效應管，是場效應管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。

這是MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構：

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。

另外，MOS管和IGBT的選擇可以參考以下幾點：

MOS IBGT

切換功率大于100KHz 切換功率低于25KHz

輸入電壓低于250V 輸入電壓高于1000V

較小的輸出功率的場合 較大輸出功率的場合

電流變化較小的負載

總的來說，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，工作頻率高，缺點是導通電阻大，在高壓大電流場合功耗較大；IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導通電阻小，耐壓高。

審核編輯：湯梓紅