国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅MOSFET助力暖通空調(diào)能效提升解決方案

華強北電子方案 ? 來源:華強北電子方案 ? 作者:華強北電子方案 ? 2022-09-21 17:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

為了達到空調(diào)新能效標準,早日實現(xiàn)國家提倡的“雙碳”節(jié)能減排重大戰(zhàn)略目標,在變頻空調(diào)使用量及用電量極高的今天,進一步提升暖通空調(diào)的能效,具有十分重大的戰(zhàn)略意義及經(jīng)濟效益。

近十年,碳化硅MOSFET逐步大批量應用在開關電源、光伏發(fā)電、電動汽車以及高鐵、電網(wǎng)等領域,可靠性與性價比得到極大的提升與市場的充分驗證,大量事實表明,以碳化硅為代表的第三代半導體新時代已經(jīng)到來。

以碳化硅為代表的新型半導體技術為暖通空調(diào)(HVAC)綜合性能的提升提供了新的途徑,它不僅可以進一步優(yōu)化系統(tǒng)性能,還能顯著提升系統(tǒng)效率,助推暖通空調(diào)達到甚至超過新能效標準,使暖通空調(diào)具有更高的性價比。

項目介紹:

本項目由華強電子產(chǎn)業(yè)研究所成果轉(zhuǎn)化與技術轉(zhuǎn)移服務平臺技術方案商提供。

為了應對暖通空調(diào)行業(yè)新標準,以及電動汽車冬季續(xù)航里程焦慮,本項目方案公司提出了一種基于新型功率器件碳化硅MOSFET的壓縮機控制器解決思路,并設計了一款16kW級的控制器樣機進行驗證。

驗證結(jié)果表明,本項目將SiC MOSFET應用于暖通空調(diào)系統(tǒng),不但可以顯著提升系統(tǒng)性能,在性價比方面還更具優(yōu)勢。

節(jié)能效果更佳:從下圖可知,碳化硅MOSFET沒有拐點電壓,僅有一定的導通電阻,導通電壓與電流成線性關系,因此導通壓降和損耗大幅減少。當暖通空調(diào)在穩(wěn)定工況運行時,壓縮機控制器將工作在輕載或者超輕載模式下,節(jié)能效果更佳。

pYYBAGMq21iACBnoAAKQHbHt3yk439.png

圖1 碳化硅MOSFET與傳統(tǒng)硅IGBT導通特性對比

系統(tǒng)效能更高:項目公司研發(fā)團隊使用開放式功耗與效率iPowerSiM仿真軟件,對16kVA壓縮機控制器樣機進行仿真,該樣機使用Wolfspeed公司的一款40mΩ、1200V的碳化硅MOSFET。仿真結(jié)果表明,即使在16kHz的高開關頻率下,效率也可高達98.6%。

poYBAGMq21mAFCmzAAIPNO_Dolk901.png

圖2基于iPowerSiM仿真軟件的16kW碳化硅控制器功耗與效率仿真

方案樣機在提升開關頻率的同時,也適當?shù)亟档土穗妷鹤兓剩苊馓蓟韪遜v/dt帶來的軸電流及對繞組絕緣等造成損傷,即使如此,控制器還是可以達到峰值98%的效率,比傳統(tǒng)硅IGBT滿載時效率高出0.5%,輕載及超輕載效率高出1%-5%。

poYBAGMq25uAdV0BAAI0ff7aYvQ532.png

圖3碳化硅控制器效率曲線及對比

兼容性與成本控制兼顧:為了降低成本,方案樣機還采用了空調(diào)行業(yè)常用的自舉(Bootstrap)供電模式,并在具有自主知識產(chǎn)權的電路及控制策略下產(chǎn)生負向電壓用于碳化硅柵極驅(qū)動,提高了碳化硅MOSFET使用的柵極信賴性,同時又兼顧空調(diào)行業(yè)的應用習慣、體積與成本控制。

應用場景:

本項目的技術可應用于住宅和商用暖通空調(diào)(HVAC)、電動汽車暖通空調(diào)系統(tǒng)。

商用暖通空調(diào):該項目方案樣機采用的C3M0040120K碳化硅MOSFET成本幾乎接近于硅IGBT模塊,優(yōu)于IPM模塊,在達到更優(yōu)性能的同時幾乎不增加系統(tǒng)成本,具有極高的使用意義。如果再考慮由于使用碳化硅器件帶來散熱系統(tǒng),隔音系統(tǒng)等成本的降低,以及由于高效率低損耗帶來的用電量,即最直觀的電費下降,方案樣機則具有極高的經(jīng)濟價值。

電動汽車應用:電動汽車近年雨后春筍般蓬勃發(fā)展,但是冬季電動汽車的續(xù)航里程大幅縮減一直被用戶詬病,其中原因之一是電動汽車冬季制熱功能大多數(shù)采用的PTC(Positive Temperature Coefficient)電阻加熱器完成的,即使在PTC的COP(Coefficient Of Performance,加熱器單位功率制熱量)制熱能效比接近于1的情況下,還是會有大概30%-50%的電池電量被用于制熱,當然會造成續(xù)航里程大幅縮短。但是,如果采用了寬溫域、高效率的碳化硅熱泵空調(diào)系統(tǒng),則可降低60%以上的能效,冬季制熱工況下的能效比COP可達2-4,是目前PTC加熱方式的數(shù)倍,最大可帶來25%左右的冬季續(xù)航里程的提升。

技術優(yōu)勢:

pYYBAGMq27iALPZyAAExbkrgwio930.png

系統(tǒng)效率提升1%-5%

能量損耗降低40%

開關頻率提升100%-200%

死區(qū)時間減少60%

節(jié)能效果好

自主研發(fā)

性能穩(wěn)定

支持定制化開發(fā)

產(chǎn)品樣圖:

pYYBAGMq27iAdmAgAAHJSWOeVpM841.png



審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9674

    瀏覽量

    233538
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3721

    瀏覽量

    69405
  • 暖通空調(diào)

    關注

    0

    文章

    24

    瀏覽量

    8925
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SiC碳化硅MOSFET精準驅(qū)動電源架構的解析

    在全球電力電子產(chǎn)業(yè)向第三代半導體轉(zhuǎn)型的宏大背景下,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其寬禁帶特性帶來的高頻、高壓、耐高溫優(yōu)勢,正重塑新能源汽車、光伏儲能及高端工業(yè)裝備的標準。
    的頭像 發(fā)表于 02-01 14:42 ?523次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>精準驅(qū)動電源架構的解析

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅(qū)動設計:核心原理與未來趨勢綜合技術評述

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅(qū)動設計:核心原理與未來趨勢綜合技術評述 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控
    的頭像 發(fā)表于 10-18 21:22 ?713次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>高級柵極驅(qū)動設計:核心原理與未來趨勢綜合技術評述

    高功率密度碳化硅MOSFET軟開關三相逆變器損耗分析

      相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步
    發(fā)表于 10-11 15:32 ?38次下載

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串擾抑制技術:機理深度解析與基本半導體系級解決方案

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串擾抑制技術:機理深度解析與基本半導體系級解決方案 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,
    的頭像 發(fā)表于 10-02 09:29 ?1048次閱讀
    傾佳電子SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>串擾抑制技術:機理深度解析與基本半導體系級<b class='flag-5'>解決方案</b>

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環(huán)境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?2908次閱讀

    傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲系統(tǒng),引領革命

    傾佳電子:碳化硅功率器件革新混合逆變儲系統(tǒng),引領革命? 功率半導體領域的技術變革,正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下,混合逆變器和儲能變流器(PCS)已成
    的頭像 發(fā)表于 06-25 06:45 ?875次閱讀

    SiC碳化硅MOSFET時代的驅(qū)動供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:57 ?1523次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>時代的驅(qū)動供電<b class='flag-5'>解決方案</b>:基本BTP1521P電源芯片

    BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術應用

    Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊,憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性,為商空熱泵的升級提供了創(chuàng)新
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:44 ?797次閱讀
    BASiC基本公司SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊在商空熱泵中的技術應用

    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代:革命與產(chǎn)業(yè)升級

    傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-09 07:07 ?884次閱讀
    熱泵與<b class='flag-5'>空調(diào)</b>全面跨入SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導體時代:<b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>效</b>革命與產(chǎn)業(yè)升級

    基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

    亞非拉市場工商業(yè)儲破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:13 ?1263次閱讀
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊的高效、高可靠PCS<b class='flag-5'>解決方案</b>

    交流充電樁負載提升技術

    隨著電動汽車普及率提升,交流充電樁的優(yōu)化成為降低運營成本、減少能源浪費的核心課題。負載提升
    發(fā)表于 05-21 14:38

    SiC碳化硅功率模塊賦商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級的技術革新

    在“雙碳”目標推動下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關頻率,難以滿足高效、高頻、高溫場景的嚴苛要求。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 05:47 ?710次閱讀

    基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    基于BASIC Semiconductor基本半導體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?704次閱讀
    基于國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用<b class='flag-5'>空調(diào)</b>系統(tǒng)<b class='flag-5'>解決方案</b>

    傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案

    SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:21 ?1136次閱讀
    傾佳電子提供SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位<b class='flag-5'>解決方案</b>

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    電力電子應用中全面取代進口IGBT,助力中國電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!以下是針對碳化硅MOSFET替代IGBT的常見問題及解答,結(jié)合行業(yè)現(xiàn)狀與技術發(fā)展進行綜合分析: 問題1:國產(chǎn)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1885次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A