近期，上海瞻芯電子科技有限公司的比鄰驅動（NextDrive）芯片IVCR1412正式量產，這是業界第一款集成負壓和米勒效應抑制功能，且為極緊湊SOT23-6封裝的柵極驅動芯片，可為SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供簡便、緊湊且可靠的柵極驅動解決方案。

IVCR1412驅動芯片的輸出是一個準電流源，從而免除了所有柵極電阻，又能貼近功率管安裝，可最大限度地減小了柵極驅動環路雜散電感，動態均流效果提升明顯。該驅動芯片集成了一個負壓電荷泵，可以以提供-2V的關斷電壓。如果不需要-2V的關斷電壓，直接使用OUT輸出即可。由于柵極驅動環路上沒有柵極電阻，驅動器的強下拉輸出可實現有源米勒效應抑制功能，從而可靠地關斷MOSFET。該驅動芯片也適用于硅MOSFET和IGBT驅動。在關斷時，驅動芯片的輸出首先以4A電流下拉80ns，然后以3 Ω的下拉電阻使輸出保持低電平，從而為柵極環路振蕩提供必要的阻尼。該驅動芯片還具有一個驅動電流大小的編程引腳，可調節開通時上拉的峰值電流大小，用于 MOSFET 的導通速度調節，便于優化SiC MOSFET的開通速度與系統噪聲。IVCR1412是一款高速驅動芯片，器件之間延時失配最大值為3 ns。它非常適合并聯 MOSFET的一對一驅動，以實現良好的動態均流。主要應用于新能源汽車OBC、電機驅動、AC/DC和DC/DC轉換器、服務器和通信設備的整流器、EV/HEV逆變器及DC/DC轉換器、光伏升壓及逆變、UPS等領域。

IVCR1412的主要特性如下：l 6引腳SOT-23封裝l 高達2A的峰值拉電流和4 A的峰值灌電流l 80ns灌電流持續控制l 高達30V的寬幅VDD供電l VDD 欠壓保護，4.5V到25V推薦工作電壓l 集成-2V電壓輸出（默認），或者0V輸出選項l 抑制米勒效應l 可配置輸出驅動電流l 低至-5V負壓輸入l 兼容TTL和CMOS輸入電平l 低傳播延遲（16ns）l 輸入浮空時輸出為低電平l-40℃至125℃的工作溫度范圍