国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

使用GaN進行功率轉換

李玲 ? 來源:riverdj ? 作者:riverdj ? 2022-08-05 08:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

通過其晶體管實施的 GaN 技術已經取得了顯著的改進,直到達到替代 Mosfet 的最佳成本。這一切都始于 2017 年,GaN 在 48-Vin DC-DC 轉換器中的采用率開始在市場上具有重要意義。各種拓撲結構,例如多相和多級降壓,正在提供具有更高效率的新解決方案,以滿足 IT 和汽車市場的能源需求。除了 GaN 的微電子技術外,數字控制還提供了額外的提升以提高性能。

EPC 首席執行官 Alex Lidow 表示:“數字控制的一大特點是能夠跨應用程序平臺重用通用算法。他繼續說道:“對于未來有多個項目的設計師來說,從專用模擬控制器轉向數字控制器的投資非常值得。借助數字控制,還可以直接整合多種通信協議,例如 UART、I 2 C、SPI 和 CAN。而且,對于那些在汽車領域工作或需要雙向控制的設計師來說,數字控制可以通過自動增益控制(包括負載電流反轉)實現動態控制穩定性調整。“

除了數字控制之外,使用 GaN 進行設計時的一個重要問題,但對于電子設備而言,通常是資格測試,它為組件的強度提供了明確的證據。

半導體的正常鑒定測試涉及在較長時間內或一定數量的循環內對器件施加壓力。資格測試的目標是在大量測試部件上實現零故障。

“在 Efficient Power Conversion (EPC),我們在每個已知的應力條件下測試部件直至故障點。這讓我們了解了數據表限制中的裕量,但更重要的是,它讓我們了解了我們的 GaN FET 和集成電路的內在故障機制,”Lidow 說。

GaN 的數字控制

大多數模擬控制都受到 GaN FET 兼容性的影響,需要額外的電路來匹配柵極驅動器操作。數字解決方案提供了一種簡單有效的方法來實現先進的電源和溫度保護功能,尤其是。此外,dSPIC33CK 等數字控制可以輕松動態調整停機時間并將設計從單相擴展到多相。

“EPC 為 DC-DC 項目實施 dSPIC33CK 系列有幾個原因,我可以總結為以下幾點:價格、低功耗、小尺寸。能夠以 250 ps 的增量進行預設的死區時間的精確控制尤為重要,因為eGaN 器件的許多客戶都在更高的頻率(例如 2 MHz)下工作并且對功率損耗非常敏感,而功率損耗會因所需的長死區時間而加劇。今天的模擬控制器,”Lidow 說。

GaN 允許您增加開關頻率而無需支付任何噪聲損失。這一優勢允許在功率級中使用更小的無源元件和更快的瞬態響應。

在這些情況下,控制電路必須更快。對于當今1MHz以上的開關電源,需要在幾百ns內完成采樣和轉換。計算延遲也必須在這個相同的范圍內。現代數字控制器可以滿足這些要求。

分立式 GaN 解決方案的速度無疑比硅等效方案更快。使用數字控制,它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關固件消除了許多設計瓶頸。

氮化鎵測試

大多數半導體的應力條件涉及電壓、電流、溫度和濕度等參數的測試,如表 1 所列。

表 1:eGaN FET 的應力條件和固有失效機制

測試條件必須大大超過設備或電路板的限制,注意可能引發故障的過度條件。Alex Lidow 強調,對于 GaN 設計師來說,兩種類型的應力是必不可少的,也是最令人擔憂的:柵源電壓應力和漏源電壓應力。

圖 1 顯示了數百個設備在不同電壓和溫度下的故障結果轉換為平均故障時間 (MTTF)。查看右側的圖表,在 V GS為 6 V DC 的情況下,您可以預期 10 年內發生 10 到 100 百萬分率 (ppm) 的故障。然而,Lidow 表明,推薦的柵極驅動電壓為 5.25 V,并且此電壓下的預期故障率在 10 年內低于 1 ppm。

圖 1:(左)EPC2212 eGaN FET 的平均故障時間 (MTTF) 與25 o C 和 120 o C 下的V GS。(右)圖表顯示了25 o C 時的各種故障概率與 V GS

動態電阻 ( RDS(on) ) 一直是早期 GaN 器件中令人擔憂的故障機制。由于強電子俘獲,當器件暴露于高漏極電壓 (V DS )時,R DS(on)增加,因此電阻更大。在最高溫度條件下的 V DS直流電壓下,用于俘獲的電子候選來自 I DSS,其數量級為 uA。為了加速捕獲,可以增加 V DS電壓,如圖 2 所示。

圖 2:在不同電壓和溫度下隨時間獲取的設備故障數據被統計轉化為隨時間、溫度和電壓的故障率預測

“圖表右側顯示了在各種 VDSS 下 1 ppm (0.0001%)、100 ppm (0.01%) 和 10,000 ppm (1%) 失效的時間。在此 100 V 器件的最大標稱 V DS下,1 ppm 故障率遠高于 10 年線,”Lidow 說。

所有這些測試的目標是獲得有效的產品。Lidow 指出,從 2017 年 1 月至 2020 年 2 月,在汽車和電信領域的主要 EPC 應用中,eGaN FET 解決方案的現場使用時間超過 1230 億小時。總共有 3 個設備單元發生故障。

上述主要應力條件可以作為直流極化連續施加,可以循環打開和關閉,并且可以作為高速脈沖施加。類似的電流應力條件可以應用為 DC 直流或脈沖電流。此外,從熱學的角度來看,可以使用相同的標準施加應力,在這種情況下,通過在預定的極端溫度下運行設備一段時間,或者可以以各種方式循環溫度。最終目的是獲得要分析的一系列故障,定義導致故障的機制。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 驅動器
    +關注

    關注

    54

    文章

    9083

    瀏覽量

    155623
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30751

    瀏覽量

    264342
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2367

    瀏覽量

    82492
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深入剖析LMG5200:80-V、10-A GaN半橋功率級的卓越性能與應用

    個高頻GaN FET驅動器,采用半橋配置,為電源轉換提供了集成化的功率級解決方案。它基于增強型氮化鎵(GaN)FET技術
    的頭像 發表于 03-01 17:20 ?984次閱讀

    集成E-GaN準諧振模式交直流轉換功率開關U872XAHS產品介紹

    U872XAHS 是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現小于 30mW 的超低待機功耗。
    的頭像 發表于 02-04 11:25 ?619次閱讀
    集成E-<b class='flag-5'>GaN</b>準諧振模式交直流<b class='flag-5'>轉換</b><b class='flag-5'>功率</b>開關U872XAHS產品介紹

    CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級單片氮化鎵(GaN)中
    發表于 02-04 08:56

    CHA8107-QCB兩級氮化鎵(GaN)高功率放大器

    CHA8107-QCB兩級氮化鎵(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款兩級氮化鎵(GaN)高功率
    發表于 12-12 09:40

    安森美垂直GaN技術賦能功率器件應用未來

    在傳統橫向結構的GaN器件中,電流沿芯片表面流動。而垂直 GaNGaN 層生長在氮化鎵襯底上,其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部,而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流,從而實現更高
    的頭像 發表于 12-04 09:28 ?1926次閱讀
    安森美垂直<b class='flag-5'>GaN</b>技術賦能<b class='flag-5'>功率</b>器件應用未來

    全球首款!GaN功率模塊進入增程器總成

    了電源轉換器的濾波元件尺寸,提升充電效率與功率密度,但在汽車核心動力總成,此前尚未有成熟應用案例。 ? 最近浩思動力發布的Gemini 微型增程器搭載自研 “冰刃” 系列氮化鎵功率模塊,成為全球首款將
    的頭像 發表于 11-27 08:44 ?4251次閱讀

    安森美入局垂直GaNGaN進入高壓時代

    電子發燒友網綜合報道 近日,安森美發布器垂直GaN功率半導體技術,憑借 GaN-on-GaN 專屬架構與多項性能突破,為全球高功率應用領域帶來革命性解決方案,重新定義了行業在能效、緊湊
    的頭像 發表于 11-10 03:12 ?7504次閱讀

    ?VIPERGAN65:面向高效電源設計的集成GaN高壓轉換器技術解析

    STMicroelectronics VIPERGAN65高壓轉換器是一款先進的準諧振離線高壓轉換器,設有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN65設計用于中等功率準諧振ZV
    的頭像 發表于 10-29 09:11 ?664次閱讀
    ?VIPERGAN65:面向高效電源設計的集成<b class='flag-5'>GaN</b>高壓<b class='flag-5'>轉換</b>器技術解析

    Leadway GaN系列模塊的功率密度

    Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過材料創新、電路優化與封裝設計,實現了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業自動化、機器人、電動汽車等空間受限
    發表于 10-22 09:09

    Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數據手冊

    。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個100V GaN FET,由一個高頻90V GaN FET驅動器驅動。GaN FET為功率轉換
    的頭像 發表于 08-04 10:00 ?1170次閱讀
    Texas Instruments LMG2100R044 <b class='flag-5'>GaN</b>半橋<b class='flag-5'>功率</b>級數據手冊

    Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數據手冊

    Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅動器,從而減少了元器件數量并簡化
    的頭像 發表于 07-04 15:50 ?818次閱讀
    Texas Instruments LMG3614 650V 170m? <b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b>FET數據手冊

    SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT,其內部匹配標準通信頻段,可提供最佳功率和線性度。

    SGK5872-20A 類別:GaN 產品 > 用于無線電鏈路和衛星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼:I2C 功能:C 波段內部匹配 GaN-HEMT 高輸出功率:P5d
    發表于 06-16 16:18

    基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優化電源設計

    當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此,設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。
    的頭像 發表于 05-19 09:29 ?2391次閱讀
    基于德州儀器TOLL封裝<b class='flag-5'>GaN</b>器件優化電源設計

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC
    的頭像 發表于 05-15 15:28 ?2110次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>與SiC<b class='flag-5'>功率</b>器件深度解析

    功率GaN的新趨勢:GaN BDS

    電子發燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關,即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開關)。這是一種較為新型的
    發表于 04-20 09:15 ?1589次閱讀