MasterGaN 是意法半導體推出的全新平臺。它包括一個基于硅技術(shù)的半橋驅(qū)動器和兩個 GaN 功率晶體管。在接受《電力電子新聞》采訪時，意法半導體強調(diào)了這一新平臺如何通過提供更輕的重量和 3 倍的充電時間，使系統(tǒng)體積縮小 80%。但最重要的是，它通過優(yōu)化上市時間來簡化設(shè)計過程。

MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速為高達 400W 的消費和工業(yè)應用開發(fā)下一代、緊湊且高效的電池充電器和電源適配器。通過使用 GaN 技術(shù)，新設(shè)備可以在優(yōu)化效率的同時處理更多功率。ST Microelectronics 強調(diào)了將 GaN 與驅(qū)動器集成如何簡化設(shè)計，并提高性能水平。

氮化鎵市場

GaN 晶體管是當今存在的“最冷”組件之一。即使在高溫和極端條件下，其低結(jié)電阻也可實現(xiàn)低溫和低能量損失。這是這種材料廣泛用于許多關(guān)鍵部門的主要原因之一，其中對高電流的需求是主要特權(quán)。

當前的 GaN 市場通常由分立功率晶體管和驅(qū)動 IC 提供服務，這些要求設(shè)計人員學習新的實現(xiàn)技術(shù)以實現(xiàn)最佳性能。ST 的 MasterGaN 方法旨在提供更快的上市時間，同時以更小的占用空間、簡化的組裝和更高的可靠性以更少的組件保持高效性能。ST Microelectronics 表示，憑借 GaN 技術(shù)和 ST 集成產(chǎn)品的優(yōu)勢，充電器和適配器可以將標準硅基解決方案的尺寸縮小 80%，重量減輕 70%。

在功率 GaN 晶體管中，溫度對其起重要作用的組件有兩個參數(shù)： 具有相關(guān)工作損耗的R DS（on）和具有相關(guān)開關(guān)損耗的跨導。保持低溫的原因有很多：

防止在最惡劣的操作條件下發(fā)生熱失控

總體上減少損失

提高系統(tǒng)性能和效率

提高系統(tǒng)功率密度

增加電路的可靠性

ST解決方案

ST 的 MasterGaN1 平臺包含兩個半橋 GaN 功率晶體管，具有集成的高側(cè)和低側(cè)硅驅(qū)動器。該平臺使用 600V 半橋柵極驅(qū)動器和常關(guān)型高電子遷移率 GaN 晶體管 （HEMT）。

高電子遷移率允許 GaN 晶體管的開關(guān)時間約為硅 MOSFET 的四分之一。此外，對于給定的工作模式，開關(guān)損耗大約是硅晶體管的 10% 到 30%。因此，GaN 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 可以以比硅 MOSFET、IGBT 高得多的頻率驅(qū)動。GaN HEMT 需要添加極化網(wǎng)絡，芯片供應商已將其集成到其設(shè)備中才能正常運行。

與基于硅的傳統(tǒng)解決方案相比，在電源轉(zhuǎn)換器等應用中使用氮化鎵可實現(xiàn)顯著改進：更高的功率效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總體成本。

MasterGaN 中的內(nèi)置功率 GaN 具有150 mΩ 的R DS （ON） 和 650 V 漏源擊穿電壓，而內(nèi)置柵極驅(qū)動器的高端可以輕松地由內(nèi)置自舉二極管供電。

圖 1：MasterGaN1 的框圖

圖 2：MasterGaN1 的開發(fā)板

MASTERGAN1 配備了防止在低效率或危險條件下發(fā)生故障的保護，并且互鎖功能可防止交叉?zhèn)鲗l件。邏輯輸入兼容 3.3V 至 15V 的信號，因此可輕松連接微控制器和各種傳感器。上下驅(qū)動部分均具有 UVLO 保護，防止電源開關(guān)在低效率或危險條件下運行，互鎖功能避免了交叉導通條件。

這些器件系列將作為引腳兼容的半橋產(chǎn)品提供，使工程師能夠以最少的硬件更改來擴展項目。利用 GaN 晶體管特有的低通電損耗和無體二極管恢復特性，這些產(chǎn)品在高端高效拓撲中提供了改進的整體性能，例如具有有源鉗位、諧振、PFC 極無橋圖騰和AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中使用的其他軟和硬開關(guān)拓撲。

EVALMASTERGAN1 板允許您評估 MASTERGAN1 的特性并快速創(chuàng)建新拓撲，而無需完整的 PCB 設(shè)計。該板在板上提供可編程死區(qū)時間發(fā)生器，帶有單個 VCC 電源（6 V 型）。集成的 3.3 V 線性穩(wěn)壓器為微控制器或 FPGA 提供邏輯。該板提供定制機會，例如使用外部自舉二極管、針對各種解決方案的獨立電源以及針對峰值電流拓撲使用低側(cè)分流電阻器。

審核編輯：郭婷