近日，據外媒報道稱，芯片設計巨頭Intel位于美國俄亥俄州的晶圓廠已經開始建設，并且該項目獲得了美國政府的補貼。

Intel公司于去年推出了IDM2.0戰略，其中有在美國本土建設晶圓廠的計劃，預計將建立兩座先進工藝晶圓廠，總投資約200億美元。不過在前段時間，由于美國520億美元的芯片補貼法案還沒通過，Intel暫時擱置了掛計劃，而據媒體報道稱，本月7日Intel已經買下了美國俄亥俄州的一片土地，將在這塊土地上建立新的晶圓廠，并且已經獲得了美國政府的補貼。

目前該廠已經開工建設，據了解，Intel的新晶圓廠將采用20A的先進制程工藝，并且預計會在2024年正式實現20A工藝的量產。20A工藝中的A代表著埃米，因此Intel的20A工藝就相當于臺積電和三星的2nm工藝，在20A工藝中，Intel還透露過會采用一種全新的晶體管架構，將比現在的FinFET晶體管更加先進。

不過作為全球晶圓代工巨頭的臺積電和三星都表示要在2025年才會量產2nm芯片，而Intel的新晶圓廠要比他們還早一年完成2nm工藝的量產，如果Intel的計劃如實進行，那么在芯片領域Intel又將占據巨大優勢。

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綜合整理自 PConline 快科技 扣丁書屋

審核編輯 黃昊宇