電源防反接，應該是很多電路場景下都會采取到此系列得設計。

前幾日，在做單板驗證時，在接上假電池然后電源供電時，一不小心將假電池的正負極與供電電源的輸入輸出接反了，導致單板燒壞，瞬間一縷青煙飄蕩在我的座位上。由于我們的產品用的是真電池，所以不會存在反接的情況，更不存在電源防反接的設計，但是處于調試驗證階段，真電池有限，所以采用的是假電池，于是乎，，，一不下心出現了上述情況。

基于此問題，今天，我還是想簡單的整理一下，在一些電路中，為防電源反接所采取的電路措施，相關文章推薦：防反接常用單元電路，收藏了。

二極管串聯反接保護電路

在電源的輸入端，串聯一個正向二極管，其主要利用了二極管的正向導通，反向截止的特性。

在電路接入正常時，二極管是導通的，電路可以正常工作。

在電源接反時，二極管截止，電源無法形成回路，電路板無法正常工作，可以有效的防止反接帶來的危害。

但是需要注意的是，二極管存在壓降。其中硅材料的二極管壓降一般為0.7V。鍺材料的二極管壓降一般為0.3V。

使用橋式整流電路防反接保護電路

使用橋式整流電路，無論電源正接還是反接，電路都能正常的工作。

但存在和第一種方法一樣的問題，二極管存在壓降，會導致后級電路的輸入電壓小于電源電壓。

使用MOS管進行防反接電路的保護

MOS管存在導通阻抗，即RDS（on）-漏極/源極間的導通阻抗。所以在進行該類電路設計時，應選擇導通阻抗較小的MOS管。一般在幾毫歐或者幾十毫歐左右。此時存在的壓降極小，可以忽略不計，相關文章：深入了解MOSFET的工作原理。

NMOS防護

在上電的瞬間，MOS管的寄生二極管導通，系統構成回路。源極電壓大概為0.6V.此時柵極的電壓為Vbat，MOS管的開啟電壓Vgs=Vbat-0.6。只要大于規格書的標準，DS即可導通，此時MOS管的寄生二極管被短路，系統通過MOS管的DS產生回路。

若電源反接，NMOS管導通電壓為0，NMOS截止，寄生二極管反接，電路出于斷開狀態，無法形成回路。

PMOS防護

同上述類似，在上電瞬間，MOS管的寄生二極管導通，系統構成回路，源極電壓為Vbat-0.6V，然而柵極電壓為0，MOS管的開啟電壓為Ugs=0-（Vbat-0.6），柵極為低電平，PMOS，導通，寄生二極管被短路，系統通過PMOS的ds接入形成回路。

若電源接反，NMOS的導通電壓大于0V，PMOS截止，寄生二極管反接，電路斷開，從而形成保護。

其中，NMOS串接到負極，PMOS串接到正極，寄生二極管朝向正確的電流流經的方向。

NMOS，電流從D極流入S極流出。PMOS則是，S極流入D極流出。

實際應用中，G極一般還要串接一個電阻，為了防止MOS管被擊穿，也可以加上一個穩壓二極管。并聯在分壓電阻上的電容，有一個軟啟動的作用。在電流開始流過的瞬間，電容充電，G極電壓逐步建立起來。

對于PMOS，相比于NMOS導通需要Vgs大于閾值電壓，由于其開啟電壓可以為0，DS之間的壓差不大，比NMOS更具備優勢。

原文標題：電源正負極防反接保護電路

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