近日,東芝研發出新款4.5-kV雙柵極反向傳導注入增強型柵極晶體管(RC-IEGT)。經測試證實,相比于傳統單柵極結構,該產品在導通關斷時的總功耗(開關損耗)可降低24%。
功率器件是供電和管理電源的組件,對于降低各種電子設備功耗和實現碳中和社會至關重要。在全球脫碳和節能的趨勢下,IEGT被廣泛用于大功率逆變器和高壓直流輸電等需要大電流、高能效,以及更低功率損耗的應用。但由于在IEGT開啟時降低損耗(導通損耗)會增加開關損耗,因此很難降低IEGT功耗。
此次東芝開發的全新器件是一種4.5kV雙柵極RC-IEGT,其利用空穴控制柵極(CG)與主柵極(MG)分離。與單柵極器件中的反向恢復相比,這種方法通過在關斷和注入之前控制空穴提取來降低損耗。在IEGT模式下,電流從基板的背面流向正面,CG關斷之后MG關斷,減少了基板中累積的空穴,同時降低了關斷損耗。在二極管模式下,電流從基板正面流向背面,MG和CG在反向恢復之前同時導通,減少了基板中累積的電子,降低了反向恢復損耗。
新開發的雙柵極RC-IEGT結合柵極控制技術,關斷和導通損耗分別比傳統單柵極結構降低24%和18%,反向恢復損耗降低32%。因此在實際測量值中,總開關損耗降低24%,而導通損耗沒有任何增加。
審核編輯:彭靜
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
東芝
+關注
關注
6文章
1499瀏覽量
124459 -
逆變器
+關注
關注
303文章
5160瀏覽量
216572 -
柵極晶體管
+關注
關注
0文章
6瀏覽量
8494
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
增強型MOS管和耗盡型MOS管之間的區別
MOS管,全稱?金屬-氧化物-半導體場效應晶體管?(MOSFET),是一種通過柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導體器件。它屬于電壓控制型器件,輸入阻抗極高(可達1012Ω以上),具有
英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板:技術解析與應用前景
英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板:技術解析與應用前景 在現代電力電子領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是不可或缺的關鍵元件。英飛凌推出的雙柵極
選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直
選型手冊:MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3650J是一款N+P增強型MOSFET,集成N溝道與P溝道單元,憑借超低導通電阻、低柵極電荷特性,適用于計算設備電源管理、負載開關、快速無線充電、電機驅動等場景。一
多值電場型電壓選擇晶體管結構
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統二進制邏輯門電路通
發表于 09-15 15:31
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
在半導體工藝演進到2nm,1nm甚至0.7nm等節點以后,晶體管結構該如何演進?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過,產
發表于 06-20 10:40
多值電場型電壓選擇晶體管結構
多值電場型電壓選擇晶體管結構
為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統二進制邏輯門電路通
發表于 04-15 10:24
晶體管電路設計(下)
晶體管,FET和IC,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,FET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
發表于 04-14 17:24
LT8814EFF具有ESD保護的雙N溝道增強型場效應晶體管規格書
電子發燒友網站提供《LT8814EFF具有ESD保護的雙N溝道增強型場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
發表于 03-25 17:28
?0次下載
LT8814EFD具有ESD保護的共漏N溝道增強型場效應晶體管規格書
電子發燒友網站提供《LT8814EFD具有ESD保護的共漏N溝道增強型場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
發表于 03-25 17:26
?0次下載
晶體管柵極結構形成
柵極(Gate)是晶體管的核心控制結構,位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似于“開關”,通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如,在MOS管中,柵極電壓的變化
晶體管電路設計(下) [日 鈴木雅臣]
本書主要介紹了晶體管,FET和Ic,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨電路的設計,FET低頻功率放大器的設計和制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋行型op放大器的設計與制作
發表于 03-07 13:55
東芝推出新款4.5-kV雙柵極反向傳導注入增強型柵極晶體管
評論