在“碳達峰“、“碳中和”背景下，太陽能作為可再生、清潔能源的代表，其光伏規模化應用成為世界能源發展的必然趨勢，國內光伏市場規模也仍在不斷擴大。

光伏逆變器是太陽能光伏系統的“心臟”，而IGBT模塊是光伏逆變器的核心組件，占逆變器成本的10%~15%，光伏裝機量的提升成為光伏IGBT模塊需求量增加的重要推力。

比亞迪半導體憑借在IGBT領域十余年的技術積累，針對光伏IGBT模塊進行了前瞻布局和大力開發，積極研判市場趨勢，結合客戶需求，始終堅持自主研發設計與生產。目前的光伏逆變器中，以T型三電平和I型三電平兩種拓撲結構最為常見。

相較于傳統兩電平拓撲，三電平結構除了使單個IGBT阻斷電壓減半之外，還具有諧波小、損耗低、效率高等優勢，比亞迪半導體也正圍繞這兩種拓撲展開系列化開發。

多 樣 化 封 裝

多 規 格 布 局

比亞迪半導體光伏IGBT模塊可兼容flow、Easy等主流封裝系列，實現T型三電平、I型三電平拓撲。封裝生產工藝成熟，已通線量產。可在現有封裝基礎上拓展不同電壓及電流規格型號，也可根據客戶需求進行定制開發。

現有IGBT模塊非常適用于光伏逆變器和UPS等市場，采用低導通損耗和低開關損耗的溝槽場終止IGBT和快恢復二極管芯片，方形的RBSOA及較低的開關損耗，可帶來系統的效率提升。