全球首顆2nm芯片 美國聯(lián)合三星突破2nm芯片
早在2021年5月份美國的IBM公司就成功研制出2nm芯片的制造技術(shù)，2nm芯片的產(chǎn)生也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)朝著一個(gè)更高的水平發(fā)展。
據(jù)了解2nm芯片的工藝制程采用環(huán)繞柵極晶體管 （GAAFET）技術(shù)，這也是IBM首次使用底介電隔離通道，將2nm工藝與5nm相對(duì)比下，2nm的體積會(huì)更小，內(nèi)含有500億個(gè)晶體管，在處理速度上得到高速提升。
2nm工藝在綜合方面也優(yōu)于7nm，在性能方面提升了45%，但在耗能方面則下降了75%。
至于三星也會(huì)嘗試將GAAFET技術(shù)先布局在未來3nm工藝上，這也意味著從現(xiàn)在到2025年這三年時(shí)間三星將獨(dú)享此種技術(shù)工藝，這也成為了三星搶占芯片市場(chǎng)的重要機(jī)會(huì)。
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審核編輯：郭婷
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