電子發燒友網報道（文/李彎彎）日前，皇庭國際發布公告稱，其全資子公司皇庭基金近日簽署股權轉讓協議，擬收購意發功率合計14.43%股權，價格為8300萬元。

而此前皇庭基金已通過增資5000萬元獲得意發功率約13.38%的股權，上述交易完成后，皇庭基金將合計持有意發功率約27.8%的股權。

皇庭國際是一家以商業不動產綜合運營服務為主要業務的上市公司，因為當前房地產行業不景氣，皇庭國際2020年和2021年兩年合計虧損14.5億元。

對于皇庭國際來說，急于尋找新的突破口，而收購意發功率，進軍第三代半導體，正是為推動公司戰略轉型，然而這也從側面反映出，第三代半導體當下的投資極其火熱。

投資火熱，第三代半導體產能將過剩

當前，全球都在大力發展第三代半導體，地方政府不斷出臺支持政策，比如深圳，今年6月，深圳市政府在發布的《培育發展半導體與集成電路產業集群行動計劃（2022-2025年）》通知中明確提出發展第三代半導體產業。

《計劃》指出，深圳將重點布局12英寸硅基和6英寸及以上化合物半導體芯片生產線，提升氮化鎵和碳化硅等化合物半導體材料與設備研發生產水平，加速器件制造技術開發、轉化和首批次應用。

同時，面向5G通信、新能源汽車、智能終端等新興應用市場，大力引進技術領先的化合物半導體企業，并鼓勵企業推廣試用化合物半導體產品，提升系統和整機產品的競爭力。

過去幾年，全國各地陸續落地第三代半導體項目，有市場調研機構統計，自2017年到2021年10月，全國超20個省、覆蓋超40個城市，新簽約落地第三代半導體項目超70個，且項目投資額不斷增大，2020年全國就有超過6個總投資超50億元項目落地。

第三代半導體產業鏈，分為上游原材料供應，中游第三代半導體制造和下游第三代半導體器件環節。上游原材料包括襯底和外延片；中游包括第三代半導體設計、晶圓制造和封裝測試；下游為第三代半導體器件應用，包括微波射頻器件、電力電子器件和光電子器件等。

從企業來看，襯底片主要有露笑科技、三安光電、天科合達、山東天岳、維微科技、科恒晶體、鎵鋁光電等；外延片廠商主要有瀚天天成、東莞天域、晶湛半導體、聚能晶源、英諾賽科，蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所等；第三代半導體器件的廠商包括比亞迪半導體、聞泰科技、華潤微、士蘭微、斯達半導、揚杰科技、泰科天潤等。

除了國內各產業鏈不斷推進項目進程之外，臺企晶圓代工大廠及國際功率半導體企業廠商都在加大產能投建。上個月消息，聯電正加速擴大第三代半導體布局，主攻8英寸晶圓第三代半導體制造領域，近期大舉購置新機臺擴產，預計下半年將進駐8英寸AB廠。

據臺媒報道，早在2021年12月29日，聯電就已通過投資聯穎，切入第三代半導體領域。聯電計劃從6英寸GaN入手，之后將展開布局SiC，并向8英寸晶圓發展。

在GaN代工市場，除了聯電，臺積電、世界先進等傳統硅晶圓廠商也在向這個市場靠攏。臺積電自2014年就開始布局第三代半導體，目前已小批量提供6英寸GaN晶圓代工服務。世界先進已展開8英寸GaN on Si研發。

另外硅晶圓廠商環球晶2021年宣布，將大幅擴產第三代半導體，GaN及SiC產能均將翻倍增長。漢磊暨嘉晶董事長徐建華2021年也表示，公司將在未來2到3年投資0.8到1.0億美元，增加6英寸SiC產能達5到7倍，GaN月產能明年倍增至2000片。嘉晶預計將投入5000萬美元擴產，將SiC基板產能擴增7到8倍，GaN基板產能計劃提高2到2.5倍。

英飛凌、意法半導體都表示將在全球不同國家建設碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關工廠，意法半導體表示將投入約9億美元用于戰略投資，包括對氮化鎵技術和碳化硅原材料的投入。英飛凌將投入超過20億歐元，在馬來西亞新建第三代半導體模組廠。

可以看到，從國內外來看，政府、產業鏈企業、晶圓代工廠商都在積極投入到第三代半導體產業建設中。在這個背景下，北京大學教授、寬禁帶半導體研究中心主任沈波此前表示，第三代半導體投資熱潮下，若都實現量產，近期恐將引發一定程度產能過剩。

市場需求放大，可以很好地利用釋放的產能

未來，第三代半導體市場需求將會持續擴大，根據市場調研機構數據，預計到2021-2025年，我國SiC、GaN電力電子器件應用市場將以45%的年復合增長率增長至2025年的近300億元；GaN微波射頻器件市場規模將以25.4%的年均復合增長率增長至2025年的205億元。2025年第三代半導體整體市場規模有望超過500億元。

工業、儲能、新能源汽車將是大幅拉升第三代半導體的市場需求的幾大領域，電子發燒友此前報道，隨著電動車滲透率的不斷升高以及整車架構朝800伏方向邁進，預計2025年全球對SiC的需求量將會達到169萬片，其中絕大部分的應用將會體現在汽車的主逆變器。

受益于新能源革命，下游的光伏、儲能、新能源汽車以及工業自動化的爆發，功率半導體行業迎來了新的高景氣周期，整個功率半導體、分離器件和模塊的市場規模將從2020年的204億美金增長到2025年的274億美金，寬禁帶半導體的市場規模將從2020年的不到5%達到2025年的接近17%。

英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區應用市場總監程文濤此前從能源的角度談到，到2025年，全球可再生能源發電量有望超過燃煤發電量，將推動第三代半導體器件的用量迅速增長。在用電端，由于數據中心、5G通信等場景用電量巨大，節電降耗的重要性凸顯，將成為率先采用第三代半導體器件做大功率轉換的應用領域。

可見，新能源汽車、儲能等領域的快速發展，將會持續拉升對第三代半導體的市場需求，很好的利用逐步釋放的產能。同時產業界加大產能的建設，無疑是看到了新能源汽車等領域未來的市場前景，不過在產業界也需要注意投資是否過熱，謹防產能過剩的可能。