近日，東莞松山湖管委會公布了《東莞市生態園2022年度土地征收成片開發方案》，內容顯示擬征地6.316公頃，將被用于保障天域半導體科技有限公司所建設的半導體項目的落地。

天域半導體將用這塊地來建設碳化硅外延材料研發及產業化項目，計劃2022年開始建設，將在2025年竣工投產，預計年營收將達到8.7億元，2028年可全面達產并實現84.7億元的年營收，該項目將建設全球第一條8英寸碳化硅外延晶片生產線。

該項目核心產品SiC外延片是第三代半導體產業鏈重要環節，屬于高精尖產業，天域半導體是SiC外延片領域國內領先的廠家之一，正利用該項目對其產業基礎進一步鞏固，緊跟國際SiC前沿技術前進的步伐。項目主要內容為新增產能達每年100萬片的6英寸、8英寸碳化硅外延晶片生產線；8英寸碳化硅外延晶片產業化關鍵技術的研發；6英寸、8英寸碳化硅外延晶片的生產和銷售。

天域（TYSiC）成立于2009年，是中國第一家從事碳化硅 （SiC） 外延晶片市場營銷、研發和制造的民營企業。2010年，天域與中國科學院半導體研究所合作，共同創建了碳化硅研究所，該研究所由該領域最優秀的人才組成。天域是中國第一家碳化硅半導體材料供應鏈的企業獲得汽車質量認證（IATF 16949） 。目前，天域在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD。 憑著最先進的外延爐設備、外延技術和最先進的測試和表征能力，我們為全球客戶提供 n-型 和 p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFET、BJT、MOSFET，GTO 和 IGBT等。

綜合整理自 樂居網 最資訊 集邦半導體觀察

審核編輯 黃昊宇