榮湃半導體始終以保證信號傳輸可靠性為第一要務，榮湃隔離驅動器出色的產品性能表現具體體現在哪些方面？讓我們一起走進榮湃「技術課堂」，聽資深技術專業解說

1

榮湃隔離驅動器在大功率隔離式DC-DC電源應用中

在大功率隔離式DC-DC電源應用中，由隔離驅動器直接控制的上橋和下橋開通、關斷的時間點是否精準，直接影響到電源系統的性能表現，所以隔離驅動器的時序特性非常關鍵。傳播延時對稱性好、脈寬失真小的隔離驅動器，可以有效提高電源系統的運行效率，降低開發階段的調試難度。

榮湃半導體實驗室實測結果顯示，Pai8233C雙通道隔離驅動器的傳播延時小于20納秒，脈寬失真小于1納秒，通道間時序性能差異小于1納秒，優于同類產品。

隨著電源功率密度的要求不斷提高，電源內的磁性元件體積必須縮小，硅功率管開關損耗過大，無法通過提高開關頻率減小磁性元件、碳化硅、氮化鎵等新材料功率器件。由于其開關損耗小、適應頻率高，能夠有效縮小電源系統的體積。而功率器件開關頻率提高，會導致電源系統邏輯側參考地和驅動側參考地之間的電壓變化率顯著增加，對隔離驅動器的抗共模干擾能力提出了新的要求。

2

榮湃隔離驅動器在典型的碳化硅電源應用中

在典型的碳化硅電源應用中，隔離驅動器需要承受超過80kV/us的共模干擾，而在硅MOS電源中，這一數值僅為15~30kV/us。

在開發隔離驅動器的過程中，榮湃始終以保證信號傳輸可靠性為第一要務。實驗室實測結果顯示，在電路兩側參考地之間施加高達167kV/us的共模干擾時，Pai8233C的輸出波形和共模干擾施加前完全一致，沒有發生錯誤。

在橋式電路中，一旦上管和下管同時導通，功率管上的電流會急劇增加，導致器件燒毀，系統失效。設計人員會通過在PWM控制器軟件中，增加上下管同時關斷的死區時間去避免直通。但是在使用分離式解決方案時，由于不具備硬件死區功能，上下管直通的風險依然存在。Pai8233系列隔離驅動器具有可編程的硬件死區功能，通過調整DT引腳對地的電阻大小，就能輕松調整Pai8233系列隔離驅動器的死區時間長度。

在外接20K歐姆電阻時，Pai8233C的死區時間約為178納秒，表現穩定。實測結果顯示，從零下40攝氏度到125攝氏度的溫度區間范圍內，Pai8233C的死區時間變化率低于2%，溫漂現象很小。

Pai8233C的時序性能表現好，抗共模干擾性能強，硬件死區時間功能可靠性高，能夠滿足電源系統設計的需求。