Si24R2E是一顆工作在2.4GHz ISM頻段，專為低功耗有源RFID應用場合設計，集成嵌入式發射基帶的無線發射芯片、128次可編程NVM存儲器以及自動發射模塊。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz，共有126個1MHz帶寬的信道。

當打開啟自動發射功能，內部Watchdog與內部RCOSC工作時，芯片睡眠狀態下待機電流僅為700nA。當內部Timer定時到時，自動發射控制器自動完成數據從NVM的裝載與發射，數據發射完成后，芯片立即進入睡眠狀態，因此Si24R2E的平均功耗非常低，對于電池供電應用，可以非常容易實現五年以上的待機時間。

Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自動完成數據裝載與發射。NVM存儲器可以存儲寄存器配置與發射的數據內容，掉電后不會丟失，數據可保持10年以上。在3.3V供電電壓下，無需外部高壓，外部MCU可以通過芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程，芯片最大可編程次數為128次，芯片支持NMV加鎖，防止NVM配置數據回讀，保證用戶數據安全。

Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要額外接口，外部微控制器(MCU)通過SPI接口對芯片少數幾個寄存器配置即可以實現數據的發射，芯片完全兼容Si24R1發射功能，在不打開自動發射功能時，芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。

Si24R2E具有非常低的系統應用成本，可以不需要外部MCU，僅少量外圍無源器件即可以組成一個無線數據發射系統。內部集成高PSRR的LDO電源，保證1.9-3.6V寬電源范圍內穩定工作。

主要特性：

內置128次可編程NVM存儲器

3.3V編程電壓

超低功耗自動發射功能

內置硬件Watchdog

內置3KHZ RCOSC

內置低電壓自動報警功能

超低關斷功耗：0.7uA

寬電源電壓范圍：1.9-3.6V

超低待機功耗：<15uA

數字IO電壓:3.3V/5V

發射電流(2Mbps):13.5mA(0dBm)

內部集成高PSRR LDO

最高發射功率：7dBm (23mA)

10MHz四線SPI模塊

調制方式：GFSK/FSK

收發數據硬件中斷輸出

數據速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps

完全兼容Si24R2

快速啟動時間：<130uS

完全兼容Si24R1發射功能

低成本晶振：16MHz±60ppm

QFN20封裝或COB封裝

SI24R2E封裝圖

審核編輯：湯梓紅