電磁兼容性（EMC）的計算方法和仿真中最基本的傳導發(fā)射（CE：ConductedEmission）的試行計算方法。它與半導體集成電路（LSI）的電磁兼容性（EMC）特性息息相關，即“IEC61967-4標準1Ω/150Ω直接耦合法”。

作為電磁兼容性（EMC）的國際標準，主要適用IEC標準、CISPR標準和ISO標準。

IEC是指國際電工委員會（IEC：InternationalElectrotechnicalCommission），上述的“1Ω/150Ω直接耦合法”也被稱為“VDE法”。

該方法是通過在半導體集成電路的接地端口連接相當于1Ω電阻的網(wǎng)絡，在電源端口及信號端口等端口連接相當于150Ω電阻的網(wǎng)絡，并且測量其頻譜。但是，請注意，在電源電流較大的半導體集成電路（LSI）中，接地引腳處的1Ω電阻兩端產(chǎn)生的電壓會變大，如果影響到基本運行，則不適合這種方法。有電磁干擾（發(fā)射）相關的限值，如果不在相應值范圍內，就不符合標準。本來IEC等標準中就規(guī)定了相應的測試方法，因此作為參考示例提供了限值。但是在一般的運用中，限值會被視為標準值。

現(xiàn)在讓我們繼續(xù)EMC計算方法和EMC仿真的話題。如前所述，IEC61967-4標準中規(guī)定了從電磁兼容性（EMC）角度是對于半導體集成電路（LSI）的電源電流和信號電流進行測量的簡單方法，計算步驟如下：

①對半導體集成電路（LSI）的電源電流進行瞬態(tài)分析（TransientAnalysis），創(chuàng)建穩(wěn)定的1個周期的PWL（PiecewiseLinear）波形。這就是之前的第16篇中提到的IA模型（InternalActivityModel）和電磁干擾（EMI）模型。

②設置這個電流的PWL波形的重復值，連接規(guī)定的網(wǎng)絡（150Ω測試法為120Ω+6.8nF+51Ω等），進行瞬態(tài)分析，然后進行快速傅里葉變換（FFT）。

③進行單位換算（dBμV）后，與標準中的限值一并體現(xiàn)在圖表中，據(jù)此判斷是否符合標準。

經(jīng)過這種程度的計算處理后，我認為就可以將其創(chuàng)建為可在電路分析工具中使用的腳本或宏，并完成自動計算了。

另外，在進行測試時，由于會連接頻譜分析儀，因此需要再連接其輸入阻抗50Ω后進行計算（請注意，這里容易出錯！）。

如果符合標準，就“可喜可賀”，但如果不符合標準，就需要采取一些措施了，比如：改善①、即選擇運行模式或重新設計硅片，更改②中取決于產(chǎn)品的去耦電容（CD）的種類或更改相關的值。

這次介紹的計算方法是可以通過電路分析工具嘗試的方法，不需要實測值，使用簡單的宏或腳本即可自動執(zhí)行計算，符合IEC62433標準，未使用數(shù)據(jù)同化，未使用降噪技術。下圖是測試和計算用的參考圖。