關(guān)于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù)，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務(wù)熱線400-888-2483。

SiTime硅晶振提供兩種可配置功能，可解決 EMI 問題以符合環(huán)境要求，而無需對 PCB 設(shè)計進(jìn)行任何修改。

一、可編程驅(qū)動強(qiáng)度

1、降低驅(qū)動強(qiáng)度會增加時鐘波形的上升-下降時間，從而衰減高次諧波處的 EM 波功率。

2、數(shù)據(jù)表中的驅(qū)動強(qiáng)度表列出了支持的驅(qū)動強(qiáng)度，從 5 pf 到 60 pf 的各種負(fù)載電容可實現(xiàn)的上升-下降時間。

3、有效減輕源自時鐘跟蹤的 EM。

二、擴(kuò)頻振蕩器

1、支持中心和向下擴(kuò)展可實現(xiàn)高達(dá) -17 dB 的 3 次諧波和更高的 EM 波衰減。

2、擴(kuò)展范圍：±0.25% 至 ±2% 中心和 -0.5% 至 4% 向下擴(kuò)展。

3、在系統(tǒng)層面有效減輕電磁波。

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