關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢，SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。

SiT5156是SiTime公司推出的一款1-60MHZ輸出的高精度、抗沖擊、芯片級、可編程的溫補振蕩器TCXO，可提供0.1 ppb/g 振動免疫力，不會產生頻率擾動或微跳變。廣泛應用于小型基站、微波回傳、存儲和服務器、專業音視頻設備、同步以太網及光學設備。

SiT5156具有極高的穩定性（±0.5 ppm至±2.5 ppm），出色的動態性能和豐富的功能。 這些設備解決了電信，網絡和精密GNSS系統的根深蒂固的時序問題。在降低功耗和尺寸的同時，它們可用于取代新興的5G和IEEE 1588同步應用中的傳統石英OCXO。在高溫、熱震蕩、振動以及不可預期的氣流下持續運行。

SiT5156選型參數

振蕩器類型：TCXO

頻率：1 - 60MHz任意頻率，可精確到小數點后6位

頻率穩定性：±0.5ppm、±1.0ppm、±2.5ppm

相位抖動（rms）：0.31ps

輸出類型：LVCMOS、Clipped sinewave（削峰正弦波）

工作溫度：-20℃ ~ ＋70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ ＋105℃

牽引范圍：±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm

電源電壓：2.5V、2.8V、3.0V、3.3V

封裝尺寸：5.0mm x 3.2mm

SiT5156特點

在氣流、快速溫度和斜坡作用下，具有優異的動態穩定性

±500ppb的頻率穩定性b

3e-11 ADEV 在 10 秒平均時間

±15 ppb/°C 頻率斜率 (ΔF/ΔT)，10°C/min 斜坡

在任何操作條件下實現最快的衛星鎖定

振動下的相位噪聲提高 20 倍

最大限度地減少高振動環境中衛星鎖定的損失

沒有活動下降或微跳

無需進行昂貴的篩選或老化測試

0.2 ps/mV 電源噪聲抑制 (PSNR)

通過消除用于 TCXO 的專用 LDO 來減少 BOM

LVCMOS 或削峰正弦波輸出

優化以實現 EMI 和抖動之間的最佳平衡

通過 I2C 進行數字頻率調諧

消除電路板噪聲引起的頻移

10 億小時 MTBF

終身保修

減少由于時鐘組件引起的維修成本和現場故障

SiT5156應用

關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢，SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。