關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢，SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。

SiT8920是一款專注超寬溫、惡劣環境下的堅固可靠的單端MEMS抗沖擊寬溫振蕩器。由于其獨特的硅MEMS和模擬電路設計，SiT8920在多個主要性能類別超越石英振蕩器。雖然是在-55°至+125°的寬廣溫度范圍內工作，SiT8920的功耗為石英振蕩器的一半，穩定性卻是后者的兩倍。SiT8920在總體器件可靠性和抗沖擊和振動性能方面，更分別提高了20倍和30倍。

SiT8920擁有0.1ppb/G振動靈敏度（G-sensivity），50kg沖擊和70g抗振動以及10億小時平均無故障時間。SiT8920集成了SiTime獨特的SoftEdge 上升/下降時間控制，可在無需額外電路元件、增加昂貴的屏蔽罩、或重新設計PCB的前提下降低系統EMI。

這些重要特性大大地提高了系統性能，減少電子產品在惡劣環境中的故障，成為機車控制，油田、礦山、航天軍工等惡劣工況電子控制的首選時鐘源。

SiT8920選型參數

振蕩器類型：抗沖擊寬溫振蕩器

頻率：1MHz - 110MHz任意頻率，可精確到小數點后6位

頻率穩定性：±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖動（rms）：1.3ps

輸出類型：LVCMOS

溫度范圍：-55℃ ~ +125℃

電源電壓：1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、2.25V ~ 3.63V寬壓

封裝尺寸：2.0mm x 1.2mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

SiT8920特點

1 到 110 MHz 之間的任何頻率，精度為 6 位小數

穩定性低至 ±20 ppm

軍用溫度范圍：-55℃ ~ +125℃

1.8 V 、 2.5 V ~ 3.3 V 電源電壓

自定義規格以獲得最佳系統性能

對許多設計使用相同的基本設備，減少認證需求

0.6 μA 典型待機電流 (1.8 V)

3.5 mA 典型有源電流 (1.8 V)

延長便攜式應用中的電池壽命

降低綠色系統的功耗

FlexEdge? 可配置驅動強度

更慢的上升/下降時間，最大限度地減少來自振蕩器的 EMI

通過驅動多個負載并消除額外的時序組件來節省成本

超快交貨時間

減少庫存開銷

降低短缺風險

SiT8920應用

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為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢，SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務熱線400-888-2483。