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MOSFET將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。因為MOSFET器件是電壓控制型器件，在應用中容易控制，而且MOSFET工作頻率高，符合功率器件高頻化發展的需求。

時至今日，MOSFET已經廣泛應用于中小功率場合如電腦功率電源、家用電器等，具有驅動功率小、電流關斷能力強、開關速度快損耗小且不存在二次擊穿的優點。在廣大的中低壓應用當中無論是消費類電子還是家電，又或是嵌入式系統，MOSFET占據著巨大的市場份額。

上一期中提到，MOSFET的市場格局以歐美系和日系為主流，歐美系英飛凌與安森美穩坐頭兩把交椅，日系瑞薩，東芝，羅姆緊隨其后。日系廠商和歐美廠商類似，都擁有先進的技術和生產制造工藝，在品質管理上更是精益求精，同樣是全球功率半導體中高端MOSFET的主要提供方。

ROHM MOSFET系列

羅姆最重要的武器就是SiC，旗下的MOSFET的特點是低導通電阻和高速開關。ROHM MOSFET系列在全球都極具競爭力。目前，羅姆的MOSFET產品矩陣從小信號產品到800V高耐壓產品，提供各種電壓的產品陣容，適用于電源、電機等各種用途的產品系列一應俱全。

BSS138BKWT106是ROHM最新的采用了UMT3封裝的單N道60V MOSFET，主要應用于開關電路和低壓側負載開關、繼電器驅動器。

（BSS138BKWT106，ROHM）

BSS138BKWT106在轉換上是優于同系列產品的，官方在描述上用了“very fast”來形容該器件在轉換上的性能，同時為該器件配置了超低壓的驅動，僅2.5V。BSS138BKWT106的RDS(on)的最大值為0.68Ω，而熱阻RthJA最小值僅為416℃/W。這個數值代表著該器件的熱性能極好。在超低壓驅動下，BSS138BKWT106能提供高達2kV的ESD保護。

ROHM額定電壓為600～800V的功率MOSFET產品采用了超級結技術。正是通過這項技術，ROHM旗下產品實現了高速開關和低導通電阻的性能，大大降低了應用的損失。這里選取ROHM PrestoMOS R6004JND3，R6004JND3是一種低導通電阻和快速開關的功率MOSFET系列產品，PrestoMOS系列內置羅姆專利技術做成的快速二極管以此解決節能問題。

（R6004JND3，ROHM）

R6004JND3的載流能力在4A左右，最受關注的RDS(on)最大值也僅僅只有1.43Ω。可以說的確是做到了低導通。而因為內置了專利快速二極管，該器件的能耗也非常低，額定工況下僅有60W。從數據看實實在在地做到了產品節能化。另外，該器件擁有快速反向恢復時間的特點。封裝上采用的TO252/也是常用于功率晶體管、穩壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。

RENESAS MOSFET系列

瑞薩電子其前身卻是赫赫有名的科技型企業日立制作所半導體部門和三菱電機半導體部門合并而成，業務覆蓋無線網絡、汽車、消費與工業市場等領域。作為日系半導體后繼者的瑞薩在MOSFET商業化上可靠性極高。

2SK1317，瑞薩高壓Nch MOSFET器件。除去低導通電阻和高速開關這兩個常見的特點，2SK1317還擁有高于同類產品的魯棒性。

（2SK1317，瑞薩）

2SK1317是應用于1500V高擊穿電壓的器件，在低電流下即可驅動。峰值電流可到7A。RDS(on)典型值為9Ω，最大值12Ω。在高壓下依然保持了較低的導通阻值。該器件在封裝工藝上采用的TO-3P，是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，在耐壓性、抗擊穿能力上都有很高的適應性。

瑞薩在封裝工藝上還有很多“絕活”。WPAK是瑞薩開發的一種高熱輻射封裝，通過封裝把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流同時減小布線電感。LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。瑞薩的LFPAK-I封裝在散熱技術上可以說是散熱技術的代表技術之一了。不難看出在細節上日系企業還是很能下苦工的。

東芝MOSFET系列

東芝在分立半導體上一直野心滿滿。此前曾提出要在2021年在分立型半導體元件上的銷售額達到2000億日元。東芝的12V-300V MOSFET延續了每一代的溝道結構和制造工藝，穩定降低低壓功率MOSFET的漏極-源極導通電阻RDS(ON)。400V-900V MOSFET則提供了超結MOSFET主攻高輸出應用，而對于低輸出應用，提供了D-MOS（雙擴散）MOSFET。

在12V-300V 范圍里，東芝的MOSFET提供高速、低漏源導通電阻特性和低尖峰型，具有優化的緩沖電路吸收器常數。開關損耗和噪聲性能在東芝的系列產品上也做的很好。

TPH2R408QM是東芝采用最新一代工藝制造而成的80V U-MOSX-H系列產品。開關應用中的關鍵指數如RDS(ON)，以及RDS(ON)×Qg都在新一代工藝下有了長足的進步。

（U-MOSX-H，東芝）

TPH2R408QM的RDS(ON)導通電阻（典型值）為1.9mΩ，在這樣低的導通電阻下，該器件的總柵極電荷Qg也非常低，只有87nC。這得歸功于 U-MOSX-H系列采用的細間距技術，該技術優化了單元結構。通過降低RDS(ON)、Qg，降低了主要損耗，提高設備的效率并且降低器件溫度。除此之外，新的結構工藝和封裝工藝下的TPH2R408QM擁有175℃超高的額定結溫。