INA821 經過優化，可提供較高的共模抑制比。當 G = 1 時，整個輸入共模范圍內共模抑制比超過 92dB。根據設計，此器件采用低電壓運行，由 4.5V 單電源和高達 ±18V 的雙電源供電。

數據

• 低失調電壓：10μV（典型值）、35μV（最大值）

• 增益漂移：5ppm/°C (G = 1)、
  35ppm/°C (G > 1)（最大值）

• 噪聲：7nV/√Hz

• 帶寬：4.7MHz (G = 1)、290kHz (G = 100)

• 采用 1nF 容性負載時保持穩定

• 輸入保護電壓高達 ±40V

• 共模抑制：112dB，G = 10（最小值）

• 電源抑制：110dB，G = 1（最小值）

• 電源電流：650μA（最大值）

• 電源電壓范圍：

• 單電源：4.5V 至 36V

• 雙電源：±2.25V 至 ±18V

• 額定溫度范圍：–40°C 至 +125°C

• 封裝：8 引腳 SOIC 和 VSSOP

參數