本文聚焦芯片CP 測(cè)試與FT 測(cè)試的核心區(qū)別，助力半導(dǎo)體測(cè)試工程師厘清二者差異。CP 測(cè)試是封裝前的晶圓裸晶集體初篩，借助探針卡接觸焊墊，聚焦核心功能，以低成本剔除缺陷品；FT 測(cè)試是封裝后的成品個(gè)體終檢，通過(guò)測(cè)試座連接引腳，在全溫域下全面驗(yàn)證性能參數(shù)，保障產(chǎn)品交付質(zhì)量。二者在測(cè)試階段、對(duì)象、目的及技術(shù)實(shí)現(xiàn)上截然不同，結(jié)合兩者數(shù)據(jù)可優(yōu)化芯片制造良率。

一、認(rèn)識(shí)米勒電容 如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖冢越o柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程。 其中： 輸入電容Ciss=Cgs+Cgd， 輸出電容Coss=Cgd+Cds， 反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。 然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會(huì)影響柵極和源極電容的充電。 二、理解米勒效應(yīng) 米勒效應(yīng)是指MOS管g、d的極間電容Crss在開(kāi)關(guān)動(dòng)作期間引起的瞬態(tài)效應(yīng)。 可以看成是一個(gè)電容的負(fù)反饋。在驅(qū)動(dòng)前，Crss上是高電壓，當(dāng)驅(qū)動(dòng)波形上升到閾值電壓時(shí)，MOS管導(dǎo)通，d極電壓急劇下降，通過(guò)Crss拉低g腳驅(qū)動(dòng)電壓，如果驅(qū)動(dòng)功率不足，將在驅(qū)動(dòng)波形的上升沿閾值電壓附近留下一個(gè)階梯，如下圖。 有時(shí)甚至?xí)幸粋€(gè)下降尖峰趨勢(shì)平臺(tái)，而這個(gè)平臺(tái)增加了MOS管的導(dǎo)通時(shí)間，造成了我們通常所說(shuō)的導(dǎo)通損耗。 三、MOS管的開(kāi)通過(guò)程 ①t0—t1階段 這個(gè)過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)電流ig為Cgs充電，Vgs上升，Vds和Id保持不變。一直到t1時(shí)刻，Vgs上升到閾值開(kāi)啟電壓Vg（th）。在t1時(shí)刻以前，MOS處于截止區(qū)。 ②t1—t2階段 t1時(shí)刻，MOS管就要開(kāi)始導(dǎo)通了，也就標(biāo)志著Id要開(kāi)始上升了。這個(gè)時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動(dòng)電流仍然是為Cgs充電，Id逐漸上升，在上升的過(guò)程中Vds會(huì)稍微有一些下降，這是因?yàn)橄陆档膁i/dt在雜散電感上面形成一些壓降。 從t1時(shí)刻開(kāi)始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變。 ③t2—t3階段 從t2時(shí)刻開(kāi)始，進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)期，米勒平臺(tái)就是Vgs在一段時(shí)間幾乎維持不動(dòng)的一個(gè)平臺(tái)。此時(shí)漏電流Id最大。且Vgs的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)移給Cgd充電，Vgs出現(xiàn)了米勒平臺(tái)，Vgs電壓維持不變，然后Vds就開(kāi)始下降了。 ④t3~t4階段 當(dāng)米勒電容Cgd充滿電時(shí)，Vgs電壓繼續(xù)上升，直至MOS管完全導(dǎo)通。 以上是MOS管開(kāi)通的四個(gè)過(guò)程。 所以在米勒平臺(tái)，是Cgd充電的過(guò)程，這時(shí)候Vgs變化很小，當(dāng)Cgd和Cgs處在同等水平時(shí)，Vgs才開(kāi)始繼續(xù)上升。 四、米勒效應(yīng)能避免嗎？ 由上面的分析可以看出米勒平臺(tái)是有害的，造成開(kāi)啟延時(shí)，導(dǎo)致?lián)p耗嚴(yán)重。但因?yàn)镸OS管的制造工藝，一定會(huì)產(chǎn)生Cgd，也就是米勒電容一定會(huì)存在，所以米勒效應(yīng)不能避免。 目前減小 MOS 管米勒效應(yīng)的措施如下： 1. 提高驅(qū)動(dòng)電壓或者減小驅(qū)動(dòng)電阻，目的是增大驅(qū)動(dòng)電流，快速充電。但是可能因?yàn)榧纳姼袔?lái)震蕩問(wèn)題； 2.ZVS 零電壓開(kāi)關(guān)技術(shù)是可以消除米勒效應(yīng)的，即在 Vds 為 0 時(shí)開(kāi)啟溝道，在大功率應(yīng)用時(shí)較多。

南柯電子｜汽車電子EMC測(cè)試系統(tǒng)：車企必須要知道的電磁安全方案

對(duì)于計(jì)劃出口電氣產(chǎn)品至澳大利亞的制造商和出口商而言，了解并遵守當(dāng)?shù)氐氖袌?chǎng)準(zhǔn)入要求至關(guān)重要。其中，SAA認(rèn)證與RCM標(biāo)志是產(chǎn)品合法進(jìn)入澳洲市場(chǎng)的核心合規(guī)要求。忽視這些規(guī)定不僅會(huì)導(dǎo)致清關(guān)受阻、貨物退運(yùn)，還可能面臨高額罰款和品牌聲譽(yù)損失。本文將為您清晰梳理SAA認(rèn)證與RCM標(biāo)志的關(guān)鍵合規(guī)要點(diǎn)，幫助您規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，確保產(chǎn)品順利進(jìn)入澳大利亞市場(chǎng)。一、什么是SAA認(rèn)證？SA

工業(yè)相機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)概述。

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在工業(yè)4.0的浪潮下，設(shè)備管理正經(jīng)歷深刻變革，借助智能系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)設(shè)備保養(yǎng)計(jì)劃自動(dòng)化生成與高效執(zhí)行，助力企業(yè)降本增效。系統(tǒng)通過(guò)多維數(shù)據(jù)分析，精準(zhǔn)適配每臺(tái)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)資源合理配置，避免停機(jī)損失。同時(shí)，自動(dòng)派發(fā)任務(wù)，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫執(zhí)行。