許多石英晶體振蕩器，例如 Pierce、Colpitts 和 Clapp 型拓?fù)洌谄潆姼袇^(qū)域（在圖 1所示的電抗曲線中的f s和 f a之間）操作晶體。

對(duì)于這些振蕩器，從晶體端子“看到”的總電容至關(guān)重要。這種由振蕩器電路產(chǎn)生的電容通常稱為晶體的負(fù)載電容。這個(gè)負(fù)載電容如何影響我們的設(shè)計(jì)？由于晶體在 f s和 f a之間運(yùn)行，因此它實(shí)際上起到了電感器的作用。這個(gè)有效電感與負(fù)載電容一起形成了一個(gè) LC 諧振回路，它決定了振蕩頻率。如果負(fù)載電容為 C L并且晶體以 f L振蕩，則負(fù)載電容的電抗為：

［數(shù)學(xué)處理錯(cuò)誤］XCL=?12πfLCL

晶體將在其表現(xiàn)出電抗的頻率下振蕩 ［數(shù)學(xué)處理錯(cuò)誤］12πfLCL.

因此，給定的負(fù)載電容限制晶體在 f s和 f a之間的特定點(diǎn)振蕩。如果我們改變負(fù)載電容，將獲得不同的振蕩頻率。這就是晶體制造商在特定負(fù)載電容下給出晶體頻率的原因。
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