雙方達成戰略協作并簽訂許可協議，共同開發新的氮化鎵技術，助力發展未來的無線網絡

領先的航空航天和國防科技公司RaytheonTechnologies（NYSE：RTX）和全球領先的特殊工藝半導體制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）將協作開發新型硅基氮化鎵（GaN-on-Si）半導體并實現其商業化。這種半導體將為5G和6G移動及無線基礎設施應用帶來顛覆性的射頻性能。

根據協議，Raytheon Technologies將授權格芯使用其專有的硅基氮化鎵技術和專業知識，在其位于佛蒙特州伯靈頓的Fab 9廠開發這種新型半導體。氮化鎵是一種獨特的材料，用于制造可耐受高熱量和高功率水平的高性能半導體。這種優點使得它非常適合處理5G和6G無線信號，因為這些信號需要比傳統無線系統更高的性能水平。

“Raytheon Technologies是推動射頻砷化鎵技術發展的先驅之一，該技術已經廣泛應用于移動和無線市場。同樣，在推動氮化鎵在先進軍事系統中的使用方面，我們也處于前沿，”Raytheon Technologies首席技術官Mark Russell表示，“我們與格芯（GLOBALFOUNDRIES）達成的協議不僅展現了我們共同的目標，即以低廉的成本為客戶提供高性能的通信技術，同時還將繼續證明我們在先進國防技術上的投資如何改善人們的生活，并且保護人們的安全。”

“在這種重要5G實現技術的國內生產方面，格芯（GLOBALFOUNDRIES）設在埃塞克斯的晶圓廠處于領先地位，這令我倍感自豪。對于佛蒙特州及至整個美國，這都是一場勝利，”美國參議院撥款委員會主席Patrick Leahy參議員表示，“對于美國的半導體供應鏈和競爭能力而言，世界一流制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）與技術創新領導者Raytheon Technologies之間的這次協作是一大利好消息，在佛蒙特州開發的這種技術將掀起我們生活中的一場革命。”

“格芯（GLOBALFOUNDRIES）的創新推動了四代無線通信技術的演進，讓40多億人能夠進行通信交流。我們與Raytheon Technologies的協作是一個非常重要的舉措，旨在確保關鍵未來5G應用解決方案的開發和制造能力，”格芯首席執行官Tom Caulfield說道，“此次合作將涉及到眾多應用領域，從支持人工智能的手機和無人駕駛汽車到智能電網，以及政府對數據和網絡的訪問，這種應用對國家安全至關重要。”

憑借格芯出色的制造能力，結合在射頻、測試和封裝方面的差異化服務，新的GaN產品將能提升射頻性能，同時維持生產和運營成本，讓客戶能夠達到全新功耗水平和功率附加效率（PAE），以滿足不斷演進的5G和6G射頻毫米波工作頻率標準。

與Raytheon Technologies的此次協作是格芯的最新戰略性合作，它進一步證明了格芯公司致力于通過提供差異化解決方案來重新定義創新前沿，而業界的其他公司仍在采用日趨困難的傳統技術升級。

原文標題：Raytheon Technologies和格芯攜手加快5G無線連接技術發展

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責任編輯：haq