這是芯片行業發展過程中的一個里程碑，將在芯片性能和能源效率方面實現飛躍。

紐約州奧爾巴尼 — 2021年 5月 6日：IBM（紐約證券交易所：IBM）宣布，IBM 已成功研制出全球首款采用 2納米 （nm） 規格納米片技術的芯片，這標志著 IBM 在半導體設計和工藝方面實現了重大突破。一直以來，半導體在眾多領域內都扮演著至關重要的角色，例如：計算機、家用電器、通信設備、運輸系統、關鍵基礎設施等等。

各行各業對芯片性能和能效的要求越來越高，在混合云、人工智能和物聯網時代尤其如此。IBM 研發的新型 2納米芯片技術可推動半導體行業的發展，滿足不斷增長的需求。與目前最先進的 7納米節點芯片相比，這項技術預計可使芯片的性能提升 45%，能耗降低 75%［i］。

這款先進的 2納米芯片的應用前景包括：

使手機電池續航時間增至之前四倍，只需每四天為設備充一次電即可［ii］。

大幅減少數據中心的碳排放量，目前，數據中心的能源使用量占全球能源使用量的百分之一。［iii］將數據中心的所有服務器更換為 2納米處理器可能會顯著降低該比例。

極大地提升筆記本電腦的功能，可加快應用程序處理速度，加強語言翻譯輔助功能，加快互聯網訪問速度。

加快自動駕駛汽車（例如：無人駕駛汽車）的物體檢測速度，縮短反應時間。

IBM 研究院高級副總裁兼院長 Darío Gil 表示：“這款新型 2納米芯片體現出的 IBM 創新對整個半導體和 IT 行業至關重要。” “這是 IBM 不畏艱難，克服嚴峻技術挑戰取得的成果，展現了持續投資和合作研發生態系統方法如何幫助我們實現突破。”

IBM 始終處于

半導體創新的最前沿

幾十年來，IBM 一直是半導體創新領域內的領導者，這為 IBM 實現最新突破奠定了堅實的基礎。IBM 在位于紐約州奧爾巴尼市 Albany Nanotech Complex 的研究實驗室開展半導體研發工作，在這里，IBM 科學家與來自公共和私營部門的合作伙伴密切合作，共同推動邏輯擴展和半導體功能向前發展。

這種協作式創新方法不僅使 IBM 奧爾巴尼研究院成為了全球領先的半導體研發生態系統，而且還構建了一條強大的創新渠道，有助于滿足制造需求，加速全球芯片行業的發展。

多年來，IBM 在半導體領域內屢次實現重大突破，包括率先推出 7納米和 5納米工藝技術、單管 DRAM（single cell DRAM），Dennard 標度律（the Dennard Scaling Laws），化學放大光刻膠（chemically amplified photoresists）、銅互連布線（copper interconnect wiring）、絕緣硅片技術（Silicon on Insulator technolog）、多核微處理器（multi core microprocessors）、高 k 柵電介質（High-k gate dielectrics）、嵌入式 DRAM（embedded DRAM）和 3D 芯片堆疊（3D chip stacking）。

IBM 憑借 IBM 研究院在 7納米技術方面取得的進展研發的第一款商業化產品將于今年晚些時候在基于 IBM POWER10 的 IBM Power Systems 中首次亮相。

一個指甲大小的芯片

可容納 500億個晶體管

增加每個芯片上的晶體管數量可以讓芯片變得更小、更快、更可靠、更高效。2納米設計展示了利用 IBM 研發的納米片技術對半導體進行高級擴展的能力。這種架構為業界首創。在宣布 5納米設計研發成功之后，IBM 僅用了不到四年時間就再次實現技術突破。這項突破性技術問世后，一個指甲大小的 2納米芯片就能容納多達 500億個晶體管。

芯片上的晶體管數量增加還意味著處理器設計人員擁有更多選擇，可以通過為處理器注入內核級創新來提升人工智能、云計算等前沿工作負載的功能，找到實現硬件強制安全性和加密的新途徑。IBM 已經在最新一代的 IBM 硬件（例如：IBM POWER10 和 IBM z15）中實現了其他創新型核心級增強功能。

原文標題：IBM 揭曉全球第一項 2納米芯片技術，為半導體領域實現重大突破

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責任編輯：haq