英飛凌科技公司于1999年在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公之一。公司前身為西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。公司作為國際半導體產業創新的領導者，為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。

2020年4月16日，英飛凌正式完成了對賽普拉斯的收購。自此，成為全球第一的車用半導體供應商。按照Strategy Analytics等權威機構的數據，英飛凌自身在車用半導體的占比為11.2%，與賽普拉斯“合體”后，加上賽普拉斯的2.2%，“新英飛凌”將以13.4%的市場份額超越恩智浦榮登第一位。此外，合并后，英飛凌也將成為功率半導體、安全IC和NOR閃存市場首屈一指的供應商。

作為功率半導體領導者，英飛凌是市場上唯一一家提供覆蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產品的公司，擁有高性價比的第七代CoolMOS、基于第三代寬禁帶半導體的高性能CoolSiC與CoolGaN、以及支持更高頻率應用的第六代OptiMOS等豐富產品組合，從芯片技術層面提升電源效率。同時英飛凌也是IGBT技術領導者，根據IHS Markit最新數據，英飛凌在全球IGBT市場市占率達34.5%。

隨著汽車電動化和智能化的發展，不斷提高。作為全球最大的車用半導體供應商，英飛凌也正受益其中。在新能源汽車領域，2019年，全球最暢銷的BEV和PHEV中，有15款在電動動力傳動系統中采用了英飛凌的功率器件。而2020年至2021年，有35款采用英飛凌產品的全新BEV和PHEV車型即將開始量產。

相較于燃油汽車，電動車新增功率器件的需求主要有三個方面：逆變器中的IGBT模塊；OBC、DC/DC中的高壓MOSFET；輔助電器中的IGBT分立器件。功率半導體是新能源汽車價值量提升最多的部分，需求端主要為IGBT、MOSFET及多個IGBT集成的IPM模塊等產品，核心用于大電流和大電壓的環境。

根據英飛凌介紹，從器件對應功率看，當功率從100kW增加到200kW以上，對應的器件從IGBT到SiC MOSFET過渡。根據應用場景不同，具體對應不同的功率器件。

伴隨著新能源，包括BEV、PHEV強勁的發展，由此也帶來了碳化硅的快速發展期，大概在2025、2026年左右，碳化硅就會達到大概20%左右的市場份額，

英飛凌在碳化硅的技術探索和市場應用長期耕耘，現在已經接近30年，比如2001年，推出首款商用碳化硅功率器件，以及在2020年，正式推出面向汽車應用的車規級碳化硅產品。

2021年3月5日，英飛凌科技公司推出車用650 V CoolSiC 混合分立器件（Hybrid Discrete），內含一個50 A TRENCHSTOP 5快速開關IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管）和一個CoolSiC肖特基二極管，可降低成本、提高性能和可靠性。將IGBT與肖特基二極管結合，可為硬交換拓撲實現高性價比平衡，且支持高完整性系統及雙向充電，從而使該器件非常適用于快速開關汽車應用，如車載充電器（OBC）、功率因數校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）轉換器。

經過長期的探索，包括客戶合作、技術創新、質量、生產運營等等，英飛凌積累了大量寶貴的經驗。關于“英飛凌車規級碳化硅技術、應用及市場”，英飛凌會有什么經驗分享給大家呢

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