2021年3月20日，國家重點研發計劃“制造基礎技術與關鍵部件”重點專項項目“硅基MEMS壓電薄膜及器件關鍵技術與平臺”的項目啟動會在諾思（天津）微系統有限責任公司隆重召開。工信部領導、專家委員會專家、中心推薦專家、MEMS傳感器領域專家，天津市工信局、科技局、經開區電子局及天津大學精儀學院相關領導，武漢大學、中國科學技術大學、華中科技大學、國家納米科學中心及天津大學等項目合作單位及課題組成員代表五十余人蒞臨諾思公司參會。與會專家對諾思公司牽頭承擔該項目獲批國家立項均表示祝賀，認真聽取了諾思公司發展歷程及遠景規劃的報告，對項目的各子課題開題報告及總體組織與管理進行了充分討論，對牽頭承擔單位諾思公司進行了參觀和深入調研，項目啟動會獲得圓滿成功。

“硅基MEMS壓電薄膜及器件關鍵技術與平臺”項目啟動會現場

作為項目牽頭承擔單位代表，諾思（天津）微系統有限責任公司董事長、總經理及首席科學家向與會領導、專家及項目成員單位同仁表示熱烈歡迎，并詳細介紹了諾思的發展和近況。項目負責人對本項目立項情況進行了介紹，并表示各課題組參與單位將在未來三年將基于項目要求與諾思開展深入合作。

在技術方面，諾思核心研發團隊發展出全新的ICBAR技術路線，具有獨特性能優勢；在BAW領域已申請的國內發明專利達316項，PCT專利130項，并在濾波器設計、器件結構、工藝、封裝等多方面建立起強有力的技術壁壘。諾思已研發完成下一代更低成本、更高性能、更高功率的解決方案，產品線全面覆蓋4G/5G頻段，實測性能優良，解決了技術上的“卡脖子”問題。

在生產運營方面，經過前期良率爬坡、量產積累過程，諾思現已成為國內唯一具備大規模穩定交付能力、產品種類齊全、生產良率穩定、質量和可靠性已獲客戶驗證的高端BAW芯片供應商，為全面國產替代做好了充分準備。當前，公司量產交付已上新的臺階，產線滿產且7 x 24小時運行，客戶訂單供不應求。未來3年內的主要需求是進一步擴充量產產能，目標達到年產20億顆芯片的產能規模，從而真正解決高端射頻濾波芯片的國產供應難題。

工信部與會領導在講話中對項目的立項背景和要求做了介紹，并對牽頭單位諾思公司的準備工作表示認可，強調了諾思在項目過程中承擔的法人管理職責。“硅基MEMS壓電薄膜及器件關鍵技術與平臺”是國家重點研發計劃“制造基礎技術與關鍵部件”的立項項目之一，針對5G/6G無線通訊、物聯網等對射頻濾波器、智能傳感器提出新的技術要求，對實現晶圓級硅基MEMS壓電器件的大規模生產、擺脫我國目前關鍵MEMS壓電器件受制于人的局面，具有重要而深遠的意義。

天津市科技局領導表達了市級主管部門對諾思的大力支持以及對保證項目順利實施完成的信心，并對諾思作為天津高新技術企業的代表，在射頻濾波芯片領域聚焦研發，率先解決了“卡脖子”技術難題，取得的成績倍感振奮與鼓舞。他代表市科技局，希望借助國家重點研發計劃項目的契機，形成對產業化平臺發展的新的推動力。

專家委員會首席責任專家在會議上對諾思的技術研發和量產能力給予了高度評價。首席專家指出，諾思花費多年心血建設成的這條6英寸硅基MEMS濾波芯片生產線，對于國內射頻前端產業鏈的完整性和安全性，有著至關重要的意義。希望諾思繼續發揮量產平臺優勢，與國內高校和科研院所實現聯動效應，培養一支能夠有效支持產線運營、并將產品推向市場應用的高級人才隊伍，為MEMS領域的前沿成果落地和產業持續發展做出更大的貢獻。

其他眾多行業知名專家也出席會議并對此項目的意義和實施方案發表了重要意見。

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