據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息,1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡稱“蘇州納維科技”)在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。
該項(xiàng)目位于蘇州納米城,總用地面積14000平方米,總建筑面積約34000平方米,將建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。
資料顯示,蘇州納維科技成立于2007年5月,致力于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心關(guān)鍵材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。
據(jù)介紹,蘇州納維科技完成了從材料生長設(shè)備的自主研發(fā)到氮化鎵單晶襯底的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,率先實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù),能夠同時批量提供2英寸高導(dǎo)電、半絕緣氮化鎵單晶。
蘇州納維科技董事長徐科表示,此次奠基的總部大樓將重點(diǎn)承擔(dān)蘇州納維科技在生產(chǎn)、研發(fā)等方面的需求,標(biāo)志著公司在市場、生產(chǎn)、研發(fā)等方面全面發(fā)力。
責(zé)任編輯:tzh
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30751瀏覽量
264333 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
1893瀏覽量
119791 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2367瀏覽量
82472
發(fā)布評論請先 登錄
CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器
雙向氮化鎵應(yīng)用場景PFC部分云鎵云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評估板
CHA8107-QCB兩級氮化鎵(GaN)高功率放大器
GaN(氮化鎵)與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑
氮化鎵GaN快充芯片U8732的特點(diǎn)
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證
鎵創(chuàng)晶合:從GaN材料到器件研發(fā),打造三大應(yīng)用競爭力
CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)方案
納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地
評論