為減少開發航天器系統的時間、成本和風險，設計人員可以在初始階段使用商用現貨（COTS），隨后再將其替換為具有相同引腳分布、采用塑料或陶瓷封裝的宇航級等效耐輻射器件。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出一款耐輻射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash閃存器件，具有卓越的總電離劑量（TID）耐受能力，可在惡劣的太空輻射環境中實現最大的可靠性和耐用性。新產品是Microchip用于航天系統的單片機（MCU）、微處理器（MPU）和現場可編程門陣列（FPGA）的理想配件，為這種可擴展的開發模型提供了構建模塊。

Microchip航空航天和國防業務部副總裁Bob Vampola表示：“在使用我們的耐輻射或抗輻射微處理器和FPGA開發航天系統總體解決方案的過程中，SST38LF6401RT SuperFlash產品進一步增強了擴展性，航天系統需要配套的閃存來存儲驅動整個系統的關鍵軟件代碼或比特流，對數字處理的可靠性要求非常之高，新產品為這一過程提供了關鍵的保護。”

即使在閃存仍處于供電和運行狀態時，SST38LF6401RT器件的輻射耐受能力也高達50千拉德（Krad）TID，該產品能使系統在各種空間應用中運行。在這些應用中，系統無法承受任何代碼執行錯誤，否則可能導致嚴重缺陷和系統崩潰。新產品是Microchip基于SAMRH71 Arm Cortex-M7的抗輻射SoC處理器的理想配件，也可與RT PolarFire FPGA配合使用，以支持航天器搭載系統的重新配置。新產品與其工業版本具有兼容的引腳分布，以便在印刷電路板（PCB）上輕松替換為宇航級的塑料或陶瓷封裝版本。SST38LF6401RT的工作電壓范圍為3.0至3.6伏（V）。

開發工具和供貨

SST38LF6401RT SuperFlash器件現在提供陶瓷封裝的樣品，可根據要求提供評估板和演示軟件。此外，還可以根據要求提供FPGA飛行編程參考案例，演示如何將SuperFlash器件與FPGA和SAMRH71處理器通過支持軟件進行集成。

Microchip從COTS到耐輻射產品的工藝

通過改進旗下成熟可靠的汽車或工業標準產品系列中相關器件的硅工藝，Microchip能為這些器件提供增強的保護，使它們免受重離子環境中的單粒子閂鎖影響。通過為每個功能塊提供專門的輻射報告，這些經過少量修改的器件的輻射性能得到充分的表征。這些器件被廣泛應用于運載火箭、衛星組網和空間站等各種應用中。設計人員可以使用易于獲取的COTS器件開始系統部署，然后再將其替換為引腳兼容的宇航級器件，這些器件采用高可靠性的塑料或陶瓷封裝。

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