兆易創(chuàng)新為嵌入式產品提供豐富的存儲解決方案
11月2日消息，近日，兆易創(chuàng)新在業(yè)績電話會議中表示，其Flash產品在TWS耳機當中的導入容量確實在上升，目前256MB的產品正在導入中。此外，兆易創(chuàng)新還透露，其自研DRAM正按照原計劃進行，目前研發(fā)進度跟預期基本一樣，預期明年上半年會有產品出來。自研第一個產品會是DDR3 4Gb容量，面向利基市場。
雖然此前在DRAM內存芯片布局上，兆易創(chuàng)新主要是通過其與合肥市產業(yè)投資控股集團合作的長鑫存儲來進行布局。但是，兆易創(chuàng)新的自研DRAM項目也早已開始。
在今年5月，兆易創(chuàng)新宣布與Rambus就RRAM （電阻式隨機存取存儲器） 技術簽署專利授權協議。同時，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥?？莆ⅲ≧eliance Memory）簽署了授權協議 。
根據協議內容，兆易創(chuàng)新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM 領域的前瞻性技術布局，從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。
責任編輯:pj
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