本文是Allegro霍爾效應傳感器集成電路的技術文檔，這些器件的制造方式，以及Allegro如何使用霍爾效應原理開發這些器件。它包括霍爾效應的基本物理原理及其應用，霍爾IC結構和霍爾器件封裝。

霍爾效應原理

霍爾效應以埃德溫·霍爾（Edwin Hall）的名字命名，埃德溫·霍爾（Edwin Hall）在1879年發現，當磁場沿垂直于板平面的方向穿過板時，在載流導電板上會產生電壓電勢，如下圖所示。圖1。

霍爾效應背后的基本物理原理是洛倫茲力，如圖1的上圖所示。當電子沿垂直于外加磁場B的方向v移動時，它會受到力F的作用。洛倫茲力，既垂直于外加磁場，又垂直于電流。

圖1霍爾效應傳感器IC霍爾效應和洛倫茲力。藍色箭頭B代表垂直穿過導電板的磁場。

響應于該力，電子沿著導體沿彎曲路徑移動，并且在板上形成凈電荷，因此產生了電壓。該霍爾電壓VH遵循以下公式，該公式表明VHis與所施加的場強成正比，并且VH的極性由所施加的磁場的北向或南向確定。通過該特性，霍爾效應被用作磁傳感器。

由于霍爾效應同時適用于導電板和半導體板，因此Allegro半導體集成電路集成了霍爾元件。通過在完全集成的單片IC中使用霍爾效應，可以測量磁場強度并創建用于許多不同應用的大量霍爾效應集成電路。

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