国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

npj: 單晶硅材料在任意載荷下的失穩應力

ExMh_zhishexues ? 來源:知社學術圈 ? 作者:知社學術圈 ? 2020-10-26 09:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

通常材料在不同載荷下,其失穩應力和失穩模式并不相同。比如,材料在靜水壓作用下,其失穩壓強可以達到100 GPa左右,而在單純剪切下,材料在很低的應力載荷下(通常在100~200 MPa)產生失穩剪切變形。傳統的材料失穩準則例如最大剪切應力(Tresca準則)或者能量準則(von Mises準則)只能描述材料的塑性失穩變形,并不能描述材料的相變失穩。因此需要構建任意載荷下材料失穩的連續介質模型,為材料的失效分析提供理論支持,為材料強度的精準設計提供理論指導。

來自華東理工大學的陳浩講師和其博士導師美國愛荷華州立大學航空航天工程和機械工程系的Valery I. Levitas教授團隊,以及材料學院的Duane D. Johnson教授團隊合作,采用第一性原理計算得到了單晶硅材料在任意載荷下的失穩應力,擬合了提出的大變形彈性理論,發現該彈性理論可以精確給出硅材料任意載荷下的失穩應力。該研究為在連續介質框架下研究精確模擬材料在任意載荷下的失穩條件提供了理論基礎,由于不同載荷可以導致不同的失穩模式,比如剪切應力下發生塑性變形,而在正應力下發生相變。因此該模型為連續介質力學提供了模擬任意載荷下導致不同失效模式的可能性。 該文近期發表于npj Computational Materials6:115 (2020),英文標題與摘要如下。

Fifth-degree elastic energy for predictive continuum stress-strain relations and elastic instabilities under large strain and complex loading in silicon

Hao Chen, Nikolai A. Zarkevich, Valery I. Levitas, Duane D. Johnson & Xiancheng Zhang

Materials under complex loading develop large strains and often phase transformation via an elastic instability, as observed in both simple and complex systems. Here, we represent a material (exemplified for Si I) under large Lagrangian strains within a continuum description by a 5^th-order elastic energy found by minimizing error relative to density functional theory (DFT) results. The Cauchy stress-Lagrangian strain curves for arbitrary complex loadings are in excellent correspondence with DFT results, including the elastic instability driving the Si I→II phase transformation (PT) and the shear instabilities. PT conditions for Si I →II under action of cubic axial stresses are linear in Cauchy stresses in agreement with DFT predictions. Such continuum elastic energy permits study of elastic instabilities and orientational dependence leading to different PTs, slip, twinning, or fracture, providing a fundamental basis for continuum physics simulations of crystal behavior under extreme loading.

責任編輯:xj

原文標題:npj: 材料任意載荷下失穩條件—從第一性原理到連續介質力學

文章出處:【微信公眾號:知社學術圈】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 材料
    +關注

    關注

    3

    文章

    1524

    瀏覽量

    28656
  • 單晶硅
    +關注

    關注

    7

    文章

    194

    瀏覽量

    29317
  • 載荷
    +關注

    關注

    0

    文章

    20

    瀏覽量

    3797

原文標題:npj: 材料任意載荷下失穩條件—從第一性原理到連續介質力學

文章出處:【微信號:zhishexueshuquan,微信公眾號:知社學術圈】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    應用案例 | 深視智能雙目高速DIC系統捕捉與量化材料在沖擊載荷動態形變演化過程

    01實驗背景與挑戰隨著新能源汽車滲透率的持續攀升,輕量化材料如鋁合金被廣泛用于車身結構,以提升續航能力。然而,車輛安全性問題頻發,對結構件在碰撞等沖擊載荷的力學性能提出了更高要求。如何精準評估
    的頭像 發表于 03-02 08:17 ?88次閱讀
    應用案例 | 深視智能雙目高速DIC系統捕捉與量化<b class='flag-5'>材料</b>在沖擊<b class='flag-5'>載荷</b><b class='flag-5'>下</b>動態形變演化過程

    國產劃片機自主研發突圍 實現單晶硅與BT基板一體化切割

    國產劃片機自主研發突圍實現單晶硅與BT基板一體化切割在半導體后道封裝領域,微米級精密劃片機是決定芯片良率與終端可靠性的核心裝備,其技術壁壘橫跨精密機械制造、高速主軸技術、機器視覺校準等多個維度
    的頭像 發表于 02-28 21:39 ?278次閱讀
    國產劃片機自主研發突圍 實現<b class='flag-5'>單晶硅</b>與BT基板一體化切割

    鈣鈦礦/非晶/單晶硅等光伏板 + 光伏微能量收集管理芯片| 場景化推廣方案

    光伏板+MKS系列微能量收集管理芯片:重新定義新能源供電的黃金組合。方案核心定位以“材質特性匹配芯片優勢”為核心邏輯,針對單晶硅、非晶、鈣鈦礦、碲化鎘(CdTe)、銅銦硒(CIGS)、有機光伏
    的頭像 發表于 12-12 17:17 ?1130次閱讀
    鈣鈦礦/非晶<b class='flag-5'>硅</b>/<b class='flag-5'>單晶硅</b>等光伏板 + 光伏微能量收集管理芯片| 場景化推廣方案

    一文詳解半導體與CMOS工藝

    天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅,以此制造集成電路。單晶硅對純度要求極高,需達到99.9999999%(即9個9)以上,且原子需按照金剛石結構排列形成晶核。當晶核的晶面取向一致時,就能形成
    的頭像 發表于 09-17 16:13 ?1383次閱讀
    一文詳解半導體與CMOS工藝

    深入剖析單晶硅的生長方法

    科技進步和對高效智能產品需求的增長進一步奠定了集成電路產業在國家發展中的核心地位。而半導體硅單晶作為集成電路產業的發展基石,其對促進技術革新和經濟增長起到至關重要的作用。
    的頭像 發表于 08-21 10:43 ?1706次閱讀
    深入剖析<b class='flag-5'>單晶硅</b>的生長方法

    太赫茲頻段的光學特性

    目前,在太赫茲(遠紅外)頻段最透明的絕緣材料就是高阻的浮區(FZ)單晶硅。這是科研人員不斷的經過實驗并分析得出的結果。
    的頭像 發表于 08-12 10:45 ?1482次閱讀
    太赫茲頻段<b class='flag-5'>硅</b>的光學特性

    單晶硅清洗廢液處理方法有哪些

    很多人接觸過,或者是存在好奇與疑問,很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些?那今天就來給大家解密一,主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾:可去除廢液中的大顆粒懸浮物、固體雜質等,常采用砂
    的頭像 發表于 06-30 13:45 ?623次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>清洗廢液處理方法有哪些

    耐環境應力開裂試驗機:材料性能的關鍵檢測設備

    材料科學與工程領域,耐環境應力開裂試驗機是評估材料在特定環境耐久性的重要設備。它模擬材料實際使用中可能遭遇的
    的頭像 發表于 06-20 15:51 ?616次閱讀
    耐環境<b class='flag-5'>應力</b>開裂試驗機:<b class='flag-5'>材料</b>性能的關鍵檢測設備

    單晶片電阻率均勻性的影響因素

    直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶逐漸結晶生長為固態的單晶硅的過程,沒有雜質的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會導電,沒有市場應用價值,因此通過人為的摻雜進行雜質引入,我們可以改變、控制
    的頭像 發表于 05-09 13:58 ?1701次閱讀
    硅<b class='flag-5'>單晶</b>片電阻率均勻性的影響因素

    TSV通孔填充材料

    工藝技術之一。 ? 這些材料核心功能主要有三個,導電連接,主要提供低電阻信號/電源傳輸路徑;結構支撐,用來承受多層堆疊帶來的機械應力;介質隔離,避免相鄰通孔間的電短路。 ? 材料類型 典型材料
    的頭像 發表于 04-14 01:15 ?2852次閱讀

    LPCVD方法在多晶制備中的優勢與挑戰

    本文圍繞單晶硅、多晶與非晶三種形態的結構特征、沉積技術及其工藝參數展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶制備中的優勢與挑戰,并結合不同工藝條件對
    的頭像 發表于 04-09 16:19 ?2394次閱讀
    LPCVD方法在多晶<b class='flag-5'>硅</b>制備中的優勢與挑戰

    芯片制造中的多晶介紹

    多晶(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數微小晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如
    的頭像 發表于 04-08 15:53 ?4449次閱讀
    芯片制造中的多晶<b class='flag-5'>硅</b>介紹

    【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造

    工藝:光刻膠除膠,蝕刻未被保護的SiO2,顯影,除膠。 材料:晶圓,研磨拋光材料,光按模板材料。光刻膠,電子化學品。工業氣體,靶材,封裝材料 硅片制造:
    發表于 03-27 16:38

    單晶硅納米力學性能測試方法

    材料納米力學性能測試的眾多方法中,納米壓痕技術憑借其獨特的優勢脫穎而出,成為當前的主流測試手段。
    的頭像 發表于 03-25 14:38 ?1489次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>納米力學性能測試方法

    N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響

    本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。
    的頭像 發表于 03-18 16:46 ?1580次閱讀
    N型<b class='flag-5'>單晶硅</b>制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響