氮化鎵（GaN）為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的臺式AC-DC電源。氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料。當在電源中使用時，GaN比傳統的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統硅晶體管的損耗有兩類，傳導損耗和開關損耗。功率晶體管是開關電源功率損耗的主要原因。為了阻止這些損耗，GaN晶體管（取代舊的硅技術）的發展一直受到電力電子行業的關注。

氮化鎵在關鍵領域比硅顯示出顯著的優勢，這使得電源制造商能夠顯著提高效率。當電流流過晶體管時，開關損耗發生在開關狀態的轉換過程中。在給定的擊穿電壓下，GaN提供比硅更小的電阻和隨后的開關和傳導損耗，因此GaN適配器可以達到95%的效率。

氮化鎵對比硅具有的優勢

由于GaN器件比硅具有更好的熱導率和更高的溫度，因此，電源的整體尺寸可能顯著減小，可以減少對熱管理組件的需求，如大型散熱器、機架或風扇。移除這些內部元件，以及增加的開關頻率，使得電源不僅更輕，而且更緊湊。

晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關的優點意味著它們有望在電力電子學中找到許多應用案例。因此，工業界正在研究新的電力電子系統結構、電路拓撲和封裝解決方案，以實現和優化GaN提供的各種系統優勢。

GaN AC-DC臺式電源適配器

意識到GaN技術的好處，CUI公司推出了第一款GaN驅動的桌面適配器SDI200G-U和SDI200G-UD系列。

緊湊型新動力車型比非GaN同類產品輕32%，提供200瓦連續功率，設計用于各種便攜式工業和消費產品。重量的下降已經看到了從820克大幅減少到560克，適配器提供了更高的開關頻率，這也使他們的體積減少了一半以上。這將功率密度從每立方英寸5.3瓦增加到11.4瓦/立方英寸。

SDI200G-U系列提供了一個三叉（C14）進氣口，而SDI200G-UD具有一個雙管腳（C8）進氣口。尺寸為5.91 x 2.13 x 1.3英寸（150 x 54 x 33毫米），SDI200G-U和SDI200G-UD符合UL/EN/IEC 62368-1和60950-1的要求。

這些臺式機適配器的特點是功率密度增加了250%，空載功耗低至210兆瓦，通用輸入電壓范圍為90至264伏交流電壓。SDI200G-U和SDI200G-UD為用戶提供了一個緊湊、高效的桌面適配器，適用于便攜式電源和產品美觀的應用。
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