近幾年，在電力電子領域，以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體很熱。各大科技媒體爭相報道它們有這樣那樣的好處，例如SiC耐高電壓和高溫；GaN的開關頻率很快，可以縮小變壓器尺寸，從而實現小體積。同時，它們還有一個很大的特點，就是高效率——可以輕松滿足業界所提出的最新能效要求。

前不久，EDN從英飛凌打聽到他們家新推出了一款SiC評估板。于是不假思索地向他們提出，能不能拿塊過來做個評測，看看效率是否有聲稱的那么好。英飛凌很爽快地答應了這個請求；一周后EDN就順利地拿到了板子（如下），在此首先表示感謝！

然而，當拿到評估板，根據產品名稱“3300W CCM bi-directional totem pole PFC”查詢到應用筆記后，EDN傻了眼，這塊板子評測起來至少需要用到交流電源、直流電子負載、功率分析儀/萬用表、示波器和熱像儀等五種儀器。不得已，只好再次聯系英飛凌，看他們深圳辦公室的實驗室是否能夠能向EDN開放。 該公司在了解到我們的需求后，表示這些東西他們家應有盡有，于是又一次答應了我們的請求，并且還很貼心地給我們配備了一名技術專家——宋清亮（Owen），來協助我們完成評測，在此再次表示感謝！ 在敲定好拜訪時間后，EDN拿著板子來到了英飛凌在深圳的辦公室。以下是評測視頻。

1SiC評估板里的主要子電路和元器件

首先來看一下這款評估板里所包含的主要子電路和關鍵元器件。

電路板布局包括：右上角是EMI濾波電路，它包含幾顆共模電感、安規電容（X和Y）、NTC熱敏電阻，以及交流電輸入接線端子、保險絲和繼電器。左上角的兩塊子電路板分別是偏置板（輔助電源）和控制板：偏置板是一塊準諧振反激式開關電源，用來為風扇、MOS管柵極驅動和控制電路供電；控制板則用來實現電壓、電流和極性檢測，以及確保無橋圖騰柱拓撲能夠正確工作。

剩余的部分就是無橋圖騰柱本身了。它包括PFC扼流圈、大電解電容，以及貼在散熱器兩邊的分別兩顆SiC和Si MOS管。 宋清亮告訴EDN，前兩天他也正好拿到相同的板子，對它進行了測試。他補充說，這個電路板是一級PFC，效率達99%。由于采用了SiC MOSFET作為功率開關，因此使用了電流連續模式（CCM）圖騰柱無橋PFC拓撲。這里需要說明的是：由于CCM圖騰柱拓撲在每個開關周期內續流管的體二極管都要經歷硬換流（二極管在導通過程中由于被突然施加反壓而強制關斷），因此傳統硅MOSFET是無法可靠應用于該拓撲的。 由于只有一級PFC電路，因此我們主要可以測的指標有效率、功率因數和發熱。

2各負載點下的效率

首先來看效率——這塊板子的滿載輸出功率為3.3kW，半載時可達最大效率。這里可以用功率分析儀或萬用表來測，為了方便，我們選用功率分析儀來測。我們從0.5A輸出電流（0.2kW輸出功率）開始成倍數地增加負載（詳細測試請見視頻）。

7.5A（3kW）時的效率 隨后，宋清亮把測試過的效率數據分享給了EDN，如下圖所示。兩條曲線的數據分別來自功率分析儀和萬用表。他告訴EDN，測試儀器有一定誤差，這里萬用表的精度比功率分析儀要高，所以曲線偏上。由此可見，在半載情況下，這塊電路板確實能夠達到99%以上的效率。

3功率因數

下面來用示波器測功率因數（詳細測試過程請見視頻）。順便提一下，由于采用圖騰柱無橋PFC拓撲，電流可以雙向流動，因此有整流器（PFC）和逆變器兩種工作模式選擇（雙向），這也是圖騰柱拓撲所固有的特性。 在電流值比較小時，電流和電壓的相位關系還算不錯，但電流波形不太漂亮。隨著負載加大，電流的正弦性得到改善，功率因數也就得到提高。

4發 熱

最后再來看發熱情況。我們把風扇去掉，讓板子在滿載情況下持續工作，大約20分鐘后，溫度達到最大值。

宋清亮告訴EDN，相比Si和GaN來說，SiC耐高溫性能更好，其Rds(on)隨溫度變化更小，因此在發熱測試中所受到的效率損失很小。 SiC的頻率確實做不到GaN那么高，因此沒有體積上的優勢。但是，它的特性（易用性）最像IGBT，并且不存在IGBT那樣的拖尾電流現象。同時，SiC MOSFET由于開啟門限電壓較高（~4V），并且在關斷過程中由于漏極電壓變化引起的dv/dt 在柵極上所引起的感應電壓很低，因此采用SiC MOSFET不需要采用負壓關斷，也就不需要在變壓器上多繞一個線圈來提供負壓，可以節省成本，這是工程師最喜歡的。此外，IGBT達不到這么高的效率，這就是SiC的優勢。

另外，他補充道，實際應用的電路板也不一定要做到這么大。比如，這里有四顆電解電容，是為了滿足掉電保持時間的要求而設置的——如果沒有這方面要求，只要用到兩顆就夠了。

又比如，通常來說，PFC電路是AC/DC電源的第一級，其后往往還有一級隔離的DC-DC電源，因此在實際產品中，PFC的輸出是不需要有共模電感的。這塊評估板為了測試EMI的性能，在輸出增加了共模電感，這就增加了尺寸和降低了效率（共模電感也有功耗）。

總之，對于AC/DC電源，如果采用CCM圖騰柱拓撲和SiC MOSFET，其PFC級可以實現比評估板還要高的效率和功率密度。
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