国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

元器件失效的直接因素是什么

GReq_mcu168 ? 來源:玩轉(zhuǎn)單片機 ? 作者:玩轉(zhuǎn)單片機 ? 2020-10-11 09:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機械等因素的影響。

1、溫度導(dǎo)致失效:

1.1環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。

溫度變化對半導(dǎo)體器件的影響:構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元P-N結(jié)對溫度的變化很敏感,當(dāng)P-N結(jié)反向偏置時,由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響,其關(guān)系為:

式中:ICQ―――溫度T0C時的反向漏電流

ICQR――溫度TR℃時的反向漏電流

T-TR――溫度變化的絕對值

由上式可以看出,溫度每升高10℃,ICQ將增加一倍。這將造成晶體管放大器的工作點發(fā)生漂移、晶體管電流放大系數(shù)發(fā)生變化、特性曲線發(fā)生變化,動態(tài)范圍變小。

溫度與允許功耗的關(guān)系如下:


式中:PCM―――最大允許功耗

TjM―――最高允許結(jié)溫

T――――使用環(huán)境溫度

RT―――熱阻

由上式可以看出,溫度的升高將使晶體管的最大允許功耗下降。

由于P-N結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大,所以用P-N為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件(TTL、HTL等集成電路)的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的關(guān)系。當(dāng)溫度升高時,P-N結(jié)的正向壓降減小,其開門和關(guān)門電平都將減小,這就使得元件的低電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而變小;高電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而增大,造成輸出電平偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào),甚至熱擊穿。

2.1 溫度變化對電阻的影響

溫度變化對電阻的影響主要是溫度升高時,電阻的熱噪聲增加,阻值偏離標稱值,允許耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜電阻在溫度升高到100℃時,允許的耗散概率僅為標稱值的20%。

但我們也可以利用電阻的這一特性,比如,有經(jīng)過特殊設(shè)計的一類電阻:PTC(正溫度系數(shù)熱敏電阻)和NTC(負溫度系數(shù)熱敏電阻),它們的阻值受溫度的影響很大。

對于PTC,當(dāng)其溫度升高到某一閾值時,其電阻值會急劇增大。利用這一特性,可將其用在電路板的過流保護電路中,當(dāng)由于某種故障造成通過它的電流增加到其閾值電流后,PTC的溫度急劇升高,同時,其電阻值變大,限制通過它的電流,達到對電路的保護。而故障排除后,通過它的電流減小,PTC的溫度恢復(fù)正常,同時,其電阻值也恢復(fù)到其正常值。

對于NTC,它的特點是其電阻值隨溫度的升高而減小。

2.2溫度變化對電容的影響

溫度變化將引起電容的到介質(zhì)損耗變化,從而影響其使用壽命。溫度每升高10℃時,電容器的壽命就降低50%,同時還引起阻容時間常數(shù)變化,甚至發(fā)生因介質(zhì)損耗過大而熱擊穿的情況。

此外,溫度升高也將使電感線圈、變壓器、扼流圈等的絕緣性能下降。

3、濕度導(dǎo)致失效

濕度過高,當(dāng)含有酸堿性的灰塵落到電路板上時,將腐蝕元器件的焊點與接線處,造成焊點脫落,接頭斷裂。

濕度過高也是引起漏電耦合的主要原因。

而濕度過低又容易產(chǎn)生靜電,所以環(huán)境的濕度應(yīng)控制在合理的水平。

4、過高電壓導(dǎo)致器件失效

施加在元器件上的電壓穩(wěn)定性是保證元器件正常工作的重要條件。過高的電壓會增加元器件的熱損耗,甚至造成電擊穿。對于電容器而言,其失效率正比于電容電壓的5次冪。對于集成電路而言,超過其最大允許電壓值的電壓將造成器件的直接損壞。

電壓擊穿是指電子器件都有能承受的最高耐壓值,超過該允許值,器件存在失效風(fēng)險。主動元件和被動元件失效的表現(xiàn)形式稍有差別,但也都有電壓允許上限。晶體管元件都有耐壓值,超過耐壓值會對元件有損傷,比如超過二極管、電容等,電壓超過元件的耐壓值會導(dǎo)致它們擊穿,如果能量很大會導(dǎo)致熱擊穿,元件會報廢。

5、振動、沖擊影響:

機械振動與沖擊會使一些內(nèi)部有缺陷的元件加速失效,造成災(zāi)難性故障,機械振動還會使焊點、壓線點發(fā)生松動,導(dǎo)致接觸不良;若振動導(dǎo)致導(dǎo)線不應(yīng)有的碰連,會產(chǎn)生一些意象不到的后果。

可能引起的故障模式,及失效分析。

電氣過應(yīng)力(Electrical Over Stress,EOS)是一種常見的損害電子器件的方式,是元器件常見的損壞原因,其表現(xiàn)方式是過壓或者過流產(chǎn)生大量的熱能,使元器件內(nèi)部溫度過高從而損壞元器件(大家常說的燒壞),是由電氣系統(tǒng)中的脈沖導(dǎo)致的一種常見的損害電子器件的方式。

責(zé)任編輯:xj

原文標題:元器件失效機理有哪些

文章出處:【微信公眾號:玩轉(zhuǎn)單片機】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    5004

    瀏覽量

    99665
  • 機械
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    1752

    瀏覽量

    43616
  • 電壓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    45

    文章

    5773

    瀏覽量

    121845

原文標題:元器件失效機理有哪些

文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    一文了解什么是功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的失效

    呈現(xiàn)的具體形式、狀態(tài)與現(xiàn)象,是失效在宏觀層面的表現(xiàn)。不同種類的功率芯片,其失效模式各有差異,常見的有電極間短路、熱燒毀、參數(shù)漂移等。導(dǎo)致器件失效
    的頭像 發(fā)表于 01-15 15:28 ?169次閱讀
    一文了解什么是功率半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>產(chǎn)品的<b class='flag-5'>失效</b>

    電子元器件典型失效模式與機理全解析

    在現(xiàn)代電子設(shè)備中,元器件的可靠性直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。本文將深入探討各類電子元器件的典型失效模式及其背后的機理,為電子設(shè)備的設(shè)計、制造和應(yīng)用提供參考。典型元件一:機電元件機電元
    的頭像 發(fā)表于 10-27 16:22 ?584次閱讀
    電子<b class='flag-5'>元器件</b>典型<b class='flag-5'>失效</b>模式與機理全解析

    電子元器件失效分析之金鋁鍵合

    電子元器件封裝中的引線鍵合工藝,是實現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中,金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡單和成本低廉等優(yōu)勢,成為集成電路產(chǎn)品中常見的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知,卻是
    的頭像 發(fā)表于 10-24 12:20 ?651次閱讀
    電子<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>分析之金鋁鍵合

    MSD失效的“爆米花”效應(yīng)

    功能失效等問題日益突出,成為導(dǎo)致產(chǎn)品故障的重要因素。什么是潮濕敏感器件潮濕敏感器件,簡稱MSD,特指那些對環(huán)境中水分極為敏感的電子元器件,尤
    的頭像 發(fā)表于 10-20 15:29 ?711次閱讀
    MSD<b class='flag-5'>失效</b>的“爆米花”效應(yīng)

    常見的電子元器件失效分析匯總

    電子元器件失效可能導(dǎo)致電路功能異常,甚至整機損毀,耗費大量調(diào)試時間。部分半導(dǎo)體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”,進一步增加了問題定位的難度。電阻器
    的頭像 發(fā)表于 10-17 17:38 ?1140次閱讀
    常見的電子<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>分析匯總

    五大常見電子元器件失效全解析

    電子設(shè)備中絕大部分故障最終都可溯源至元器件失效。熟悉各類元器件失效模式,往往僅憑直覺就能鎖定故障點,或僅憑一次簡單的電阻、電壓測量即可定位問題。電阻器類電阻器家族包括固定電阻與可變電
    的頭像 發(fā)表于 08-28 10:37 ?1141次閱讀
    五大常見電子<b class='flag-5'>元器件</b>的<b class='flag-5'>失效</b>全解析

    電子元器件為什么會失效

    電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下,喪失預(yù)期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段,不僅影響設(shè)備正常運行,還可能引發(fā)系統(tǒng)級故障。導(dǎo)致失效
    的頭像 發(fā)表于 08-21 14:09 ?1384次閱讀
    電子<b class='flag-5'>元器件</b>為什么會<b class='flag-5'>失效</b>

    淺談常見芯片失效原因

    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,電氣過應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是導(dǎo)致芯片失效的兩大主要因素,約占現(xiàn)場失效器件總數(shù)的50%。它們不僅直接造成
    的頭像 發(fā)表于 08-21 09:23 ?1949次閱讀

    怎么找出PCB光電元器件失效問題

    在電子信息產(chǎn)品中,PCB作為元器件的載體與電路信號傳輸?shù)年P(guān)鍵樞紐,其質(zhì)量與可靠性對整機設(shè)備起著決定性作用。隨著產(chǎn)品小型化及環(huán)保要求的提升,PCB正向高密度、高Tg和環(huán)保方向發(fā)展。然而,受成本和技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 13:59 ?740次閱讀
    怎么找出PCB光電<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>問題

    電解電容失效因素解析與預(yù)防策略

    電解電容作為電子電路中關(guān)鍵的儲能與濾波元件,其可靠性直接影響設(shè)備性能與壽命。然而,受材料、工藝、環(huán)境等因素影響,電解電容易發(fā)生多種失效模式。本文將系統(tǒng)梳理其失效
    的頭像 發(fā)表于 07-08 15:17 ?1051次閱讀
    電解電容<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>因素</b>解析與預(yù)防策略

    元器件可靠性領(lǐng)域中的 FIB 技術(shù)

    元器件可靠性領(lǐng)域中的FIB技術(shù)在當(dāng)今的科技時代,元器件的可靠性至關(guān)重要。當(dāng)前,國內(nèi)外元器件級可靠性質(zhì)量保證技術(shù)涵蓋了眾多方面,包括元器件補充篩選試驗、破壞性物理分析(DPA)、結(jié)構(gòu)分析
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:51 ?800次閱讀
    <b class='flag-5'>元器件</b>可靠性領(lǐng)域中的 FIB 技術(shù)

    深入剖析典型潮敏元器件分層問題

    潮敏物料主要是指非密封封裝的IC,受潮后主要失效模式為內(nèi)部分層。在電子組裝領(lǐng)域,潮敏元器件一直是影響產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵因素之一。這些元器件受潮后容易出現(xiàn)各種
    的頭像 發(fā)表于 05-14 14:37 ?958次閱讀
    深入剖析典型潮敏<b class='flag-5'>元器件</b>分層問題

    元器件失效分析有哪些方法?

    失效分析的定義與目標失效分析是對失效電子元器件進行診斷的過程。其核心目標是確定失效模式和失效機理
    的頭像 發(fā)表于 05-08 14:30 ?1066次閱讀
    <b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>分析有哪些方法?

    元器件失效之推拉力測試

    元器件失效之推拉力測試在當(dāng)代電子設(shè)備的生產(chǎn)與使用過程中,組件的故障不僅可能降低產(chǎn)品的性能,還可能導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失效,給用戶帶來麻煩和經(jīng)濟損失,同時對制造商的聲譽和成本也會造成負面影響。為什么要做推拉
    的頭像 發(fā)表于 04-29 17:26 ?827次閱讀
    <b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>之推拉力測試

    電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

    元器件的典型失效分析案例。 純分享貼,有需要可以直接下載附件獲取完整資料! (如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點贊、評論支持一下哦~)
    發(fā)表于 04-10 17:43