單片機內部的FLASH除了存儲固件以外，經常將其分成多個區域，用來存儲一些參數或存儲OTA升級的待更新的固件，這時就會涉及到單片機內部FLASH的編程和擦除操作，STM32不同系列的單片機內部FLASH特性和扇區大小都不太一樣，如果不注意這些細節，那就等著爬坑吧

1、FLASH的分區以及扇區大小

FLASH擦除是按照扇區擦的，所以這個很重要，在工程中全局搜索 FLASH_PAGE_SIZE 宏就可以查看該芯片的頁（扇區）大小，改宏在 stm32xxx_hal_flash.h中有定義

2、FLASH擦拭后的狀態

F1和F4系列的芯片FLASH在擦除后會是0xFFFFFFFF，而L1系列的芯片FLASH在擦除后是0x00000000!!!!!

3、FLASH的編程速度

L1芯片內部FLASH編程速度比F1慢50倍！！！所以在使用L1芯片寫入數據時相對于F1慢是正常的

2、STM32 F1、F4、L1系列內部FLASH分區及大小

1、STM32F1系列

對于F1系列的芯片大容量產品的FLASH主存儲器每頁大小為2K，如【下圖】，而中容量和小容量的產品每頁大小只有1K

2、STM32F4系列

分為2個Bank，每個Bank分為12個扇區，前4個扇區為16KB大小，第五個扇區是64KB大小，剩下的7個扇區都是128K大小

3、STM32L1系列

3、STM32 F1、F4、L1系列內部FLASH編程時間

信息參考對應芯片的數據手冊的 Electrical characteristics 章節

1、STM32F1系列

可以看出F1系列內部FLASH頁擦除時間最大為40ms，半字寫入的時間為52.2us，比如按字寫入1024字節數據，需要26.8ms，還是比較快的

2、STM32F4系列

可以看出F4系列內部不同扇區擦除時間也不一樣的，字寫入的時間為16us，比如按字寫入1024字節數據，只需要4ms，非常快

3、STM32L1系列

可以看出L1系列內部FLASH頁擦除和編程的時間都是3.28ms，比如按字寫入1024字節數據，需要840ms，非常慢；但是擦除是比較快的

編輯：hfy