一、蝕刻的目的

蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導體部分銅蝕刻去，形成線路。

蝕刻有內層蝕刻和外層蝕刻，內層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻，錫鉛為抗蝕劑。

二、蝕刻反應基本原理

1．酸性氯化銅蝕刻液

①．特性

-蝕刻速度容易控制，蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量

-蝕銅量大

-蝕刻液易再生和回收

②．主要反應原理

蝕刻過程中，Cu2+有氧化性，將板面銅氧化成Cu+：Cu+CuCl2→2CuCl

生成的CuCl不溶于水，在過量的氯離子存在下，生成可溶性的絡離子：

2CuCl+4Cl-→2[CuCl3]2-

隨著反應的進行,Cu+越來越多，蝕銅能力下降，需對蝕刻液再生，使Cu+變成Cu2+。再生的方法有以下幾種：通氧氣或壓縮空氣再生(反應速率低)，氯氣再生(反應快，但有毒)，電解再生(可直接回收銅，但需電解再生的設備和較高的電能消耗)，次氯酸鈉再生(成本高,本身較危險)，雙氧水再生(反應速率快，易控制)．

反應:2CuCl+2HCl+H2O2→2CuCl2+2H2O

自動控制添加系統：通過控制蝕刻速度，雙氧水和鹽酸的添加比例,比重和液位，溫度等項目，達到自動連續生產。
編輯：hfy