在由本次會(huì)議上海市浦東新區(qū)科技和經(jīng)濟(jì)委員會(huì)、上海張江高科技園區(qū)開(kāi)發(fā)股份有限公司和芯原微電子（上海）股份有限公司（芯原股份）共同承辦的2020世界人工智能大會(huì)云端峰會(huì)“人工智能芯片創(chuàng)新主題論壇”上，三星電子高級(jí)副總裁MoonSoo Kang壓軸重點(diǎn)介紹了三星布局未來(lái)AI產(chǎn)品的晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)。三星電子是目前全球排名第二的晶圓代工廠，且同時(shí)擁有FinFET和FD-SOI兩種先進(jìn)工藝產(chǎn)線MoonSoo Kang表示，芯片定制化是AI計(jì)算的未來(lái)，三星可為AI芯片提供從工藝技術(shù)到IP和設(shè)計(jì)方法等的一攬子解決方案。

芯片定制化是AI計(jì)算的未來(lái)

眾所周知，人工智能正在迅速改變著世界。但人工智能解決方案才剛剛開(kāi)始，并且具有巨大的成長(zhǎng)潛力。即使在人工智能的初期，人工智能也已經(jīng)以許多不同方式滲透到我們生活的各個(gè)角落。從超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心到我們的家庭和汽車(chē)，再到我們個(gè)人化的設(shè)備，如移動(dòng)電話(huà)和可穿戴設(shè)備，我們可以發(fā)現(xiàn)不同規(guī)模的多樣化的人工智能應(yīng)用程序。

這些多樣化的AI應(yīng)用程序需要多樣化的計(jì)算需求和技術(shù)要求，同時(shí)面臨著不同的邊界條件和需要克服的技術(shù)障礙，沒(méi)有單一的解決方案能滿(mǎn)足所有的需求，因此，為給定類(lèi)型的AI應(yīng)用程序提供它所需要的正確的計(jì)算解決方案是非常重要的，Moonsoo Kang表示。

顯然，計(jì)算能力本身對(duì)于實(shí)現(xiàn)人工智能是至關(guān)重要的，AI的計(jì)算架構(gòu)一直在進(jìn)化發(fā)展，通用CPU是用于AI應(yīng)用領(lǐng)域的最靈活的計(jì)算解決方案，但是，它并沒(méi)有針對(duì)AI應(yīng)用領(lǐng)域所需的計(jì)算操作進(jìn)行特別優(yōu)化，接下來(lái)，GPU在AI類(lèi)型應(yīng)用中變得非常流行，因?yàn)樗鼈冊(cè)谔幚鞟I類(lèi)型計(jì)算方面具有更高的效率，現(xiàn)在，通過(guò)定制設(shè)計(jì)的AI處理器（custom-designed AI processors）可以實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算效率，我們相信這是AI計(jì)算的未來(lái)。

可以看到通用CPU占據(jù)當(dāng)今數(shù)據(jù)中心推理（Inference）應(yīng)用市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，但預(yù)計(jì)到2025年，定制AI芯片將占據(jù)將近一半的市場(chǎng)份額。另一方面，在數(shù)據(jù)中心的培訓(xùn)（Training）應(yīng)用市場(chǎng)目前是完全由GPU主導(dǎo)但是到2025年，這個(gè)市場(chǎng)上最重要的解決方案將是定制AI芯片，硅片技術(shù)的最新趨勢(shì)，這也許對(duì)AI應(yīng)用很重要，是異質(zhì)整合（heterogeneous Integration），這與半導(dǎo)體行業(yè)的傳統(tǒng)方向——也就是越來(lái)越多的內(nèi)容集成到單個(gè)芯片中的方向截然相反，這種趨勢(shì)是由于下面幾個(gè)事實(shí)：

首先，高端制程的邏輯工藝變得越來(lái)越昂貴。先進(jìn)工藝的硅片制造成本越來(lái)越高，而先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片設(shè)計(jì)成本也隨之迅速增加；其次，并非設(shè)計(jì)的所有部分都以相同的方式體驗(yàn)高級(jí)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的好處，例如，模擬設(shè)計(jì)不會(huì)隨著先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展而縮小，考慮到更高的晶圓成本，采用先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的模擬零件變得越來(lái)越昂貴，由于這個(gè)原因，分解的想法變得很流行，單個(gè)芯片可以分為多個(gè)小芯片（Chiplet），這些小芯片可以組裝在中介層（Interposer）的頂部或多芯片封裝模塊中，當(dāng)然，這個(gè)想法需要克服很多技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的障礙，但這正在成為不可否認(rèn)的趨勢(shì)，至少在某些細(xì)分市場(chǎng)中是這樣。

三星晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)布局未來(lái)AI產(chǎn)品

在AI行業(yè)的計(jì)算架構(gòu)和硅解決方案中已經(jīng)發(fā)生的和正在發(fā)生的變化，那么Samsung Foundry能將提供什么樣的工藝，IP和封裝方案來(lái)幫助AI行業(yè)呢？

Foundry的工藝技術(shù)

Samsung Foundry在成功開(kāi)發(fā)硅片先進(jìn)制程技術(shù)方面擁有悠久的歷史，Moonsoo Kang介紹到，我們?cè)贔oundry行業(yè)中率先在32/28nm工藝上引進(jìn)了High-K金屬柵極技術(shù)，然后又領(lǐng)先推出第一款采用FinFET晶體管結(jié)構(gòu)的14nm工藝，第一款EUV光罩技術(shù)的量產(chǎn)又在我們的7nm技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。而且，創(chuàng)新不止于此，我們?cè)?nm技術(shù)中引進(jìn)了世界上第一個(gè)全環(huán)柵極晶體管技術(shù)（Gate-all-around transistor）。除了主流技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)外，我們還擁有特殊工藝技術(shù)來(lái)提供差別化的解決方案，我們開(kāi)發(fā)了28nm FD-SOI工藝并提供了嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案， 包括eFlash和eMRAM。并且我們正在18nm節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)第二代FD-SOI技術(shù)，Samsung Foundry的下一個(gè)重要目標(biāo)是GAA，全環(huán)柵極晶體管技術(shù)，硅晶體管已從平面（Planar）演變到立體的FinFET，來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的面積和電壓減縮，現(xiàn)在，為了進(jìn)一步改善FinFET并克服FinFET的短通道效應(yīng)，我們正在引入一種稱(chēng)為全環(huán)柵極的新型晶體管架構(gòu)，借助這項(xiàng)新技術(shù)，我們可以進(jìn)一步降低晶體管的工作電壓，從而實(shí)現(xiàn)更節(jié)能的計(jì)算，這對(duì)于AI應(yīng)用至關(guān)重要。

同樣，對(duì)于GAA器件，器件寬度會(huì)隨著納米片（Nano sheet）通道的垂直堆疊的增加而增加，因此可以實(shí)現(xiàn)速度增強(qiáng)而不會(huì)造成面積損失，這項(xiàng)技術(shù)將在較小的硅片面積中實(shí)現(xiàn)更少的能耗和更多的計(jì)算能力，作為差別化的技術(shù)開(kāi)發(fā)，我們?cè)贔D-SOI工藝提供eNVM解決方案，以實(shí)現(xiàn)最終的低功耗應(yīng)用。

人工智能的應(yīng)用范圍很廣，隨著AI應(yīng)用進(jìn)入我們的日常生活，在終端點(diǎn)附近或邊緣AI進(jìn)行處理正變得越來(lái)越普遍并變得越來(lái)越重要。對(duì)于此類(lèi)應(yīng)用，獲得每功率更多的性能以及總功耗極為重要，我們的FD-SOI技術(shù)為節(jié)能解決方案提供了平臺(tái)。

并且，借助嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（如eFlash和eMRAM），有可能實(shí)現(xiàn)模擬類(lèi)型的內(nèi)存計(jì)算，與傳統(tǒng)的基于數(shù)字邏輯的計(jì)算架構(gòu)相比，其功耗更低，面積更小，處理速度更快。

IP設(shè)計(jì)

以上是Samsung Foundry的工藝技術(shù)，但是，僅靠硅制程技術(shù)不能提供出色的芯片，要設(shè)計(jì)具有競(jìng)爭(zhēng)力的芯片，需要優(yōu)秀的設(shè)計(jì)IP。Moonsoo Kang表示，Samsung Foundry可提供全套的設(shè)計(jì)IP來(lái)支持AI和HPC應(yīng)用以及移動(dòng)應(yīng)用，我們提供各種內(nèi)存接口IP，例如HBM2/2e，GDDR6，DDR5/4和LPDDR5/4，最高速度可達(dá)112G的Serdes IP，高速接口（例如PCIe，MIPI和USB）以及Die-to-die接口串行和并行類(lèi)型。這些IP由我們的IP合作伙伴或Samsung Foundry內(nèi)部開(kāi)發(fā)，并經(jīng)過(guò)所有測(cè)試和硅驗(yàn)證。

接下來(lái)是我們的高速存儲(chǔ)器和Serdes IP的更多技術(shù)細(xì)節(jié)。這些在設(shè)計(jì)AI類(lèi)型計(jì)算解決方案中顯得非常重要，我們已經(jīng)有HBM2/2e IP，HBM3 IP正在開(kāi)發(fā)中，右上方顯示了高達(dá)112G的Serdes IP，左下方顯示了用于經(jīng)濟(jì)高效的高帶寬解決方案的GDDR6 IP，芯片到芯片（Die-to-die） IP是異質(zhì)整合的重要組成部分，有串行和并行兩種類(lèi)型。

封裝技術(shù)

隨著異質(zhì)整合，封裝技術(shù)正成為關(guān)鍵的推動(dòng)技術(shù)。Samsung Foundry提供并繼續(xù)開(kāi)發(fā)各種針對(duì)AI產(chǎn)品優(yōu)化的封裝解決方案，Moonsoo Kang表示，我們提供使用硅片和RDL中介層（interposer）連接邏輯和高帶寬存儲(chǔ)器或邏輯和邏輯芯片的2.5D水平方向集成解決方案，我們的2.5D集成解決方案從4HBM集成將進(jìn)一步擴(kuò)展到6和多于8個(gè)HBM集成。

我們還提供3D-TSV芯片堆疊集成解決方案，其中一個(gè)芯片位于另一個(gè)芯片的頂部，以實(shí)現(xiàn)極高的帶寬，隨著焊盤(pán)間距小至10um， 3D集成解決方案將進(jìn)一步擴(kuò)展到晶圓對(duì)晶圓鍵合和芯片對(duì)晶圓技術(shù)。

AI應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，尤其是對(duì)于耗電量巨大的數(shù)據(jù)中心類(lèi)型的AI產(chǎn)品而言，是高功耗，因此需要提供優(yōu)秀的電源完整性（PI）解決方案，隨著計(jì)算能力的提高，開(kāi)關(guān)噪聲或功率紋波成為關(guān)鍵問(wèn)題。

Moonsoo Kang表示，作為一種解決方案，晶體管附近的高密度硅電容器可以減少電源噪聲并提高PI，Samsung Foundry提供了各種電容器解決方案來(lái)幫助增強(qiáng)PI，具有高電容密度的集成堆棧電容器（Integrated Stack Capacitor）可以集成在硅片中介層內(nèi)部或作為分立芯片，集成的堆棧電容器可以顯著改善輸電網(wǎng)絡(luò)的峰值阻抗和電壓降如下圖所示。我們還提供MIM（金屬絕緣體金屬）電容器和EPS（嵌入式無(wú)源基板），以進(jìn)一步增強(qiáng)電源完整性。

最后，以上談到的Samsung Foundry的硅工藝技術(shù)，設(shè)計(jì)IP和封裝這些技術(shù)組件不只是作為離散組件提供，它們是一個(gè)完整且客戶(hù)友好的生態(tài)系統(tǒng)，簡(jiǎn)稱(chēng)為SAFE，稱(chēng)為Samsung Advanced Foundry Ecosystem，可提供“一站式”解決方案。Moonsoo Kang分享與重要客戶(hù)百度的成功合作經(jīng)驗(yàn)。百度使用SAFE平臺(tái)成功開(kāi)發(fā)了同類(lèi)最佳的AI加速器芯片，該產(chǎn)品采用了Samsung Foundry的14nm邏輯工藝，SAFE可靠的IP解決方案和設(shè)計(jì)方法，和HBM一起構(gòu)建在2.5D硅片中介層PKG。
責(zé)任編輯：tzh