硅材料是微電子產業最重要的基礎材料，也是整個現代信息社會的基石。隨著集成電路的特征線寬不斷降低，對硅材料的高精度加工早已從宏觀尺寸跨入了納米尺寸。因此，硅在納米尺度的機械性能對于集成電路工業具有越來越重要的意義, 在過去十幾年吸引了大量的理論和實驗研究。

眾所周知，晶體硅是一種典型的脆性材料。有趣的是，科學家卻在各種硅納米材料中觀察到了明顯的壓應力誘導塑性形變, 但是過去的研究對于這種塑形形變的機理卻長期存在爭議。最近，北京高壓科學中心的研究小組利用高壓原位同步輻射徑向X射線衍射技術精確測定了硅納米顆粒發生塑性形變過程中的應力、應變和原子結構變化, 從而澄清了其塑性的微觀機理，相關成果以“Origin of Plasticity in Nanostructured Silicon”為題發表于近期的《物理評論快報》上。 由于極小的樣品尺寸（往往小于100納米、甚至10納米），納米材料的力學性能一直是頗具挑戰的研究領域。以往對于硅納米材料的塑性形變的研究主要集中在理論計算和利用電子顯微鏡對單個納米顆粒的原位加載研究。曾徵丹研究員團隊采用了一種“高壓徑向X射線衍射技術”來原位研究硅納米顆粒在不同應力作用下的壓縮形變。“采用徑向X射線衍射，我們可以同時研究大量的納米顆粒，既可以觀測這些顆粒的晶體結構及其取向關系隨應力的變化，同時還可以定量地得到每一種相的彈性和塑性形變隨應力的變化信息，并且實現其和結構變化的直接關聯。這樣就可以幫助我們確認到底是什么機制在主導硅納米顆粒的塑性變形”，曾徵丹研究員解釋到。

他們選擇了兩種不同大小的硅納米顆粒（平均直徑分別約為100納米和9納米）作為研究對象來代表較大尺寸和極小尺寸的硅材料，分別將這兩種樣品放在金剛石壓砧的壓腔中進行實驗。實驗結果表明，在壓縮過程中，脆性的金剛石立方相（常壓下的穩定相）即使在很高的應力下也只會發生極微弱的塑性變形。但是當應力高過一定的臨界值，硅會從常規的金剛石立方相轉變為具有良好塑性的高壓金屬相，從而迅速發生顯著的塑性形變。因此，實驗通過精確的量化證據，澄清了高壓相的產生才是硅納米顆粒發生顯著塑性形變的真正原因。而且，實驗進一步發現對于不同尺寸的硅納米顆粒，不僅發生相變的臨界壓力不同，產生的高壓相也不相同。尺寸較大的納米顆粒（100 納米）和體硅類似，相變成一種四方相(Si-II)；而小尺寸的納米顆粒（9納米）則會轉變成簡單六方相(Si-V)。這種差異也意味著尺寸會顯著影響硅納米材料的力學性能。 這些研究結果不但解開了硅納米顆粒發生塑性形變的秘密，也能幫助我們理解和預測不同尺寸的硅納米材料的力學性能，從而為硅材料在納米尺度的更好應用提供指導。