多數(shù)汽車]

差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存
多年來，大多數(shù)]

]這里來插播一下閃存最最基本的位單元存儲結(jié)構(gòu)和工作原理，請看下面三圖。

嵌入式閃存的低工作電壓特性使其非常適用于]

嵌入式閃存支持]

這經(jīng)常讓人們誤認(rèn)為嵌入式閃存不能滿足]

]嵌入式閃存是可以擴(kuò)展的十年以前，紛紛流傳嵌入式閃存無法突破 90nm 以下節(jié)點，理由是存儲單元擴(kuò)展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)。可如今嵌入式閃存已發(fā)展到 28nm 級，因此證明上述看法是錯誤的。現(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時代。不過，諸如 Samsung 和 GLOBALFOUNDRIES 等代工廠正專注于平面 22 nm 技術(shù)節(jié)點（甚至更小）的 FDSOI 技術(shù)，可能會使嵌入式閃存的使用壽命比 28nm 節(jié)點更長。

]

圖]

所有無晶圓廠的 IDM 和許多只有小規(guī)模晶圓廠的 IDM 都在與純代工廠進(jìn)行合作。不過，IDM 都有自己的制造設(shè)備，可以根據(jù)產(chǎn)品集和可用技術(shù)，選擇自己生產(chǎn)或外包給純代工廠。許多一流 IDM 選擇了在其自己的代工廠部署 SST 的嵌入式閃存技術(shù)，目的是為了能夠定制一系列技術(shù)節(jié)點的差異化產(chǎn)品。