近日，晶訊聚震科技有限公司（簡稱：晶訊）在珠海正式發布了其自主研制的B41全頻段FBAR濾波器及B40濾波器。據《5G對手機射頻前端模組和連接性的影響-2019版》報告預測，移動設備及WiFi連接部分整體射頻前端市場規模將從2017年150億美元增長到2023年350億美元，年復合增長率達到14%。其中作為射頻前端最大市場的濾波器從2017-2023年將增長3倍左右，復合增長率達到19%。而目前射頻濾波器芯片市場主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo、村田等美日國際巨頭壟斷，國內自給率較低。

據晶訊介紹，本次推出的FBAR濾波器獨創的單晶摻雜壓電材料和單晶薄膜電極技術，可重新定義FBAR諧振器和濾波器性能，同時創新性發明一種全新的低成本晶圓級Bump-on-Via WLP封裝技術。采用上述技術設計生產的SC-FBAR濾波器在支持高功率的同時可以縮小封裝尺寸，擁有行業最薄的WLP封裝、大帶寬、高帶外抑制以及低插損等優異性能。B41、B40濾波器均不需要額外的外部匹配。

此外，晶訊透露將于2020年Q3發布高性能5G n79濾波器、n77+n79同向雙工器及一款低成本高性能的B3雙工器；于2020年Q4發布B1+B3四工器。

晶訊成立于2017年，由行業領軍人卓爾先生（Dror Hurvits）在珠海創立，是國內唯一一家擁有多項美國專利的高性能FBAR濾波器IDM制造商。晶訊已經獲得9項美國發明專利授權，另有19項美國及中國專利申請正在審批中；其專利池涵蓋濾波器設計、諧振器結構、封裝方法及生產制造等環節；在未來的18個月內，晶訊專利數量將增加一倍。5G時代，晶訊可為手機、模組、智能終端及小型基站客戶提供世界級的高性能SC-FBAR濾波器、雙工器和多工器。

晶訊Dror Hurwitz的FBAR濾波器發明專利

據悉，晶訊在天津用于研發及生產的先進制程中心，是全球唯一擁有外延摻雜壓電薄膜和電極薄膜能力的半導體工廠，具備出色的量產Trimming能力。晶訊目前6寸晶圓產能可達到1500片/月，并將于2020年下半年擴展至5000片/月。

值得注意的是，在國產替代大背景下，國內射頻前端芯片廠商也迎來良好的發展時機。據晶訊介紹，持續的創新及知識產權積累讓晶訊突破了美國和日本公司對于BAW/FBAR濾波器的專利和技術壟斷，也獲得了國內領先的半導體公司、產業基金和上市公司的投資。

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